[發明專利]一種像素結構、CMOS圖像傳感器和終端

有效

• 申請號: 201910330862.3
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110112156B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 楊鑫
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 賈偉;張穎玲

1.一種像素結構，其特征在于，所述像素結構包括濾光片、光電二極管和讀出電路；其中，

所述濾光片用于對接收到的入射光進行過濾，得到特定波長的光；

所述光電二極管放置于所述濾光片中背對所述入射光的表面的一側，所述光電二極管的光接收面與所述濾光片中背對所述入射光的表面相對放置，所述光電二極管用于當所述像素結構中呈正方形光接收面的邊長小于所述特定波長時，根據所述光電二極管的光接收面的共振波長，對所述特定波長進行吸收，并將吸收到的光轉換為電信號；其中，所述共振波長為所述光電二極管的光接收面發生共振吸收時的波長；

所述讀出電路與所述光電二極管的負極相連接，用于讀出所述電信號。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述特定波長在所述共振波長的范圍之內。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述特定波長包括以下任意一項：紅光波長，黃光波長，藍光波長。

4.根據權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述光電二極管的光接收面的面積小于所述像素結構中呈正方形光接收面的面積。

5.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述光電二極管的光接收面的形狀包括以下任意一項：圓形、正方形、三角形、五邊形和六邊形。

6.根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述光電二極管的形狀為圓柱體；其中，所述光電二極管的光接收面為所述圓柱體的其中一個圓形底面。

7.根據權利要求5或6所述的像素結構，其特征在于，當所述光電二極管的光接收面為圓形時，所述光電二極管的光接收面的共振波長與所述圓形的直徑呈正相關性。

8.根據權利要求5或6所述的像素結構，其特征在于，當所述特定波長為藍光波長，且所述像素結構中呈正方形光接收面的邊長為100nm時，所述光電二極管的圓形光接收面的直徑為70nm。

9.一種互補金屬氧化物半導體CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器包括上述權利要求1至8中任一項所述的像素結構。

10.一種終端，其特征在于，所述終端包括上述權利要求9中所述的CMOS圖像傳感器。