[發明專利]圖像傳感器、圖像處理方法以及計算機存儲介質

有效

• 申請號: 201910330473.0
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110085610B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 楊鑫
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張振偉;張穎玲

本申請實施例公開了一種圖像傳感器、圖像處理方法以及計算機存儲介質，該圖像傳感器包括半導體基底和多個亞波長像素單元，所述多個亞波長像素單元設置在所述半導體基底表面；其中，每個亞波長像素單元包括光電二極管PD柱，在所述半導體基底表面，處于中心位置的亞波長像素單元所包含的PD柱高度低于處于邊緣位置的亞波長像素單元所包含的PD柱高度；所述亞波長像素單元，用于通過所述亞波長像素單元內的PD柱吸收入射光中的光信號，將吸收到的光信號轉換為電信號，并將所述電信號轉換為數字信號進行傳輸。

技術領域

本申請涉及圖像傳感器技術領域，尤其涉及一種圖像傳感器、圖像處理方法以及計算機存儲介質。

背景技術

圖像傳感器是一種將光學圖像轉換成電子信號的設備。圖像傳感器主要分為電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)圖像傳感器和金屬氧化物半導體(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器。隨著CMOS工藝和技術的不斷提升，CMOS圖像傳感器越來越多地應用于各種消費類電子產品中，比如數碼相機、手機以及視頻監控系統等。

為了實現CMOS圖像傳感器的更小尺寸且依然可以拍攝出高質量、高清晰的圖像，目前提出了曲面CMOS圖像傳感器。曲面CMOS圖像傳感器與傳統的平面CMOS圖像傳感器在結構上并沒有太大區別，而是采用特別精密的工藝同時與一個特制的彎折機配合來使得CMOS進行彎曲。由于這種CMOS彎曲所需要的工藝比較復雜，且容易導致CMOS出現斷裂等問題，極大降低了曲面CMOS的良率，提高了成本。

發明內容

本申請的主要目的在于提出一種圖像傳感器、圖像處理方法以及計算機存儲介質，不僅降低了CMOS圖像傳感器斷裂的風險，而且也降低了工藝難度，從而提高了CMOS圖像傳感器的良率，降低了成本；另外，還有效降低了圖像邊緣的陰影效應。

為達到上述目的，本申請的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例提供了一種圖像傳感器，所述圖像傳感器包括半導體基底和多個亞波長像素單元，所述多個亞波長像素單元設置在所述半導體基底表面；其中，每個亞波長像素單元包括光電二極管PD柱，在所述半導體基底表面，處于中心位置的亞波長像素單元所包含的PD柱高度低于處于邊緣位置的亞波長像素單元所包含的PD柱高度；

所述亞波長像素單元，用于通過所述亞波長像素單元內的PD柱吸收入射光中的光信號，將吸收到的光信號轉換為電信號，并將所述電信號轉換為數字信號進行傳輸。

在上述方案中，所述多個亞波長像素單元以凹形曲面形式排列在所述半導體基底表面。

在上述方案中，所述半導體基底表面包括所述中心位置、所述邊緣位置、以及所述中心位置與所述邊緣位置之間的過渡區域；其中，針對所述過渡區域，隨著亞波長像素單元的排列位置與所述中心位置之間的距離增大，所述亞波長像素單元所包含的PD柱高度增加。

在上述方案中，所述亞波長像素單元還包括與PD柱連接的讀出電路；其中，

所述PD柱，用于吸收入射光中的光信號，將吸收到的光信號轉換為電信號；

所述讀出電路，用于讀出所述電信號，并將所述電信號轉換為數字信號進行傳輸。

在上述方案中，所述圖像傳感器還包括圖像處理器，用于接收所述數字信號，并根據所述數字信號生成所述入射光對應的圖像。

在上述方案中，PD柱高度的取值范圍為100nm～4um。

在上述方案中，PD柱的直徑度量級別為百納米級；其中，PD柱的直徑至少包括下述其中一項：60nm的第一直徑參數、90nm的第二直徑參數和120nm的第三直徑參數。

在上述方案中，所述亞波長像素單元包括一個PD柱，其中，