[發明專利]圖像傳感器、圖像處理方法以及計算機存儲介質有效
| 申請號: | 201910330473.0 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN110085610B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發明(設計)人: | 楊鑫 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 張振偉;張穎玲 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 圖像 處理 方法 以及 計算機 存儲 介質 | ||
1.一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括半導體基底和多個亞波長像素單元,所述多個亞波長像素單元設置在所述半導體基底表面;其中,每個亞波長像素單元包括光電二極管PD柱,在所述半導體基底表面,處于中心位置的亞波長像素單元所包含的PD柱高度低于處于邊緣位置的亞波長像素單元所包含的PD柱高度;
所述亞波長像素單元,用于通過所述亞波長像素單元內的PD柱吸收入射光中的光信號,將吸收到的光信號轉換為電信號,并將所述電信號轉換為數字信號進行傳輸;
其中,所述多個亞波長像素單元以凹形曲面形式排列在所述半導體基底表面。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述半導體基底表面包括所述中心位置、所述邊緣位置、以及所述中心位置與所述邊緣位置之間的過渡區域;其中,針對所述過渡區域,隨著亞波長像素單元的排列位置與所述中心位置之間的距離增大,所述亞波長像素單元所包含的PD柱高度增加。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述亞波長像素單元還包括與PD柱連接的讀出電路;其中,
所述PD柱,用于吸收入射光中的光信號,將吸收到的光信號轉換為電信號;
所述讀出電路,用于讀出所述電信號,并將所述電信號轉換為數字信號進行傳輸。
4.根據權利要求3所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器還包括圖像處理器,用于接收所述數字信號,并根據所述數字信號生成所述入射光對應的圖像。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,PD柱高度的取值范圍為100nm~4um。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,PD柱的直徑度量級別為百納米級;其中,PD柱的直徑至少包括下述其中一項:60nm的第一直徑參數、90nm的第二直徑參數和120nm的第三直徑參數。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其特征在于,所述亞波長像素單元包括一個PD柱,其中,
所述一個PD柱,具體用于當所述一個PD柱的直徑符合第一直徑參數時,吸收入射光中藍光波長對應的藍光信號,將吸收的藍光信號轉換為第一電信號;或者,
當所述一個PD柱的直徑符合第二直徑參數時,吸收入射光中綠光波長對應的綠光信號,將吸收的綠光信號轉換為第二電信號;或者,
當所述一個PD柱的直徑符合第三直徑參數時,吸收入射光中紅光波長對應的紅光信號,將吸收的紅光信號轉換為第三電信號。
8.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其特征在于,所述亞波長像素單元包括多個PD柱且所述多個PD柱對應的多個直徑中包括有三種直徑參數,其中,
所述多個PD柱,具體用于通過所述三種直徑參數對應的PD柱分別吸收入射光中三種波長對應的光信號,并將吸收的光信號轉換為電信號;其中,不同直徑參數對應的PD柱吸收不同波長對應的光信號,所述三種直徑參數包括第一直徑參數、第二直徑參數和第三直徑參數,所述三種波長包括藍光波長、綠光波長和紅光波長。
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其特征在于,所述亞波長像素單元包括第一PD柱、第二PD柱、第三PD柱和第四PD柱;其中,第一PD柱的直徑為60nm,第二PD柱的直徑為90nm,第三PD柱和第四PD柱的直徑為120nm。
10.根據權利要求9所述的圖像傳感器,其特征在于,所述第一PD柱,具體用于根據四個PD柱的光學共振吸收入射光中藍色波長對應的藍光信號,并將吸收到的藍光信號轉換為第一電信號;以及,
所述第二PD柱,具體用于根據四個PD柱的光學共振吸收入射光中綠色波長對應的綠光信號,并將吸收到的綠光信號轉換為第二電信號;以及,
所述第三PD柱和所述第四PD柱,具體用于根據四個PD柱的光學共振吸收入射光中紅色波長對應的紅光信號,并將吸收到的紅光信號轉換為第三電信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
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