[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 201910327794.5
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110164923B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 姜云龍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

一種OLED顯示面板及制備方法，包括玻璃基板、第一底柵極、光遮擋層、緩沖層、第一多晶硅層、第二多晶硅層、柵極絕緣層、第一頂柵極、第二頂柵極、層間絕緣層、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、鈍化層、平坦化層、像素電極、像素定義層、OLED發光器件以及陰極金屬層；所述第一源極經由過孔與所述第一底柵極相接觸，所述第二源極經由另一過孔與所述光遮擋層相接觸。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。

背景技術

隨著平面顯示領域的發展，面板顯示越來越趨于高頻率、高解析度特性，對面板驅動就提出更高的要求。目前AMOLED(有源矩陣發光二極體面板)顯示器的像素驅動電路通常采用TFT(薄膜晶體管)陣列基板，與非晶體相比，其載流子濃度是非晶硅的十倍。TFT采用低溫多晶硅(LTPS)材料由于其具有較高的遷移率，可以使用體積較小的TFT實現對液晶分子的偏轉驅動，更好的滿足驅動電流要求，應用越來越廣泛。現有技術發現，TFT陣列基板采用雙柵極低溫多晶硅薄膜晶體管相比單柵極低溫多晶硅薄膜晶體管具有更優的性能，如電子遷移率高，開態電流較大、亞閾值擺幅更小、閾值電壓的穩定性及均勻性更好、柵極偏壓及照光穩定性更好等。然而，其不容易達到飽和電流，用作驅動TFT需求的電壓較高，不利于實際使用。

綜上所述，現有的OLED顯示面板及其制備方法，由于在像素驅動電路中采用雙柵極低溫多晶硅薄膜晶體管結構時，像素驅動電路難以達到飽和電流，導致像素驅動電壓較大，進一步影響了OLED顯示裝置的工作穩定性。

發明內容

本發明提供一種OLED顯示面板，能夠提高了電容充電速度，進一步減少了電容充電時間，以解決現有的OLED顯示面板及其制備方法，由于在像素驅動電路中采用雙柵極低溫多晶硅薄膜晶體管結構時，像素驅動電路難以達到飽和電流，導致像素驅動電壓較大，進一步影響了OLED顯示裝置的工作穩定性的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種OLED顯示面板，包括：

包括玻璃基板、第一底柵極、光遮擋層、緩沖層、第一多晶硅層、第二多晶硅層、柵極絕緣層、第一頂柵極、第二頂柵極、層間絕緣層、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、鈍化層、平坦化層、像素電極、像素定義層、OLED發光器件以及陰極金屬層；

其中，所述第一源極經由過孔與所述第一底柵極相接觸，所述第二源極經由另一過孔與所述光遮擋層相接觸。

根據本發明一優選實施例，所述離子摻雜為N型摻雜或P型摻雜。

根據本發明一優選實施例，所述層間絕緣層上開設有第一過孔以及第二過孔，所述第一源極以及所述第一漏極分別通過所述第一過孔與所述第一離子摻雜多晶硅層相接觸，所述第二源極以及所述第二漏極分別通過所述第二過孔與所述第二離子摻雜多晶硅層相接觸。

根據本發明一優選實施例，所述層間絕緣層、所述柵極絕緣層以及所述緩沖層上分別形成位于所述第一底柵極上方并暴露出部分所述第一底柵極的第三過孔以及位于所述光遮擋層上方并暴露出部分所述光遮擋層的第四過孔，所述第一源極經由所述第三過孔與所述第一底柵極相接觸，所述第二源極經由所述第四過孔與所述光遮擋層相接觸。

根據本發明一優選實施例，所述柵極絕緣層以及所述層間絕緣層的材料為氮化硅、二氧化硅或二者的組合；所述第一底柵極、所述光遮擋層、所述第一源極、所述第一漏極、第一頂柵極、第二頂柵極、所述第二源極以及所述第二漏極的材料為鉬、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。

本發明還提供一種OLED顯示面板的制備方法，所述方法包括：

S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上沉積底柵金屬層，通過一道光罩制程對所述底柵金屬層進行圖案化處理，形成間隔設置的第一底柵極以及光遮擋層，之后在所述第一底柵極、所述光遮擋層以及所述玻璃基板上沉積緩沖層；