[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910327794.5
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110164923B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜云龍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

玻璃基板；

第一底柵極，設(shè)于所述玻璃基板上；

光遮擋層，設(shè)于所述玻璃基板上并與所述第一底柵極間隔設(shè)置；

緩沖層，設(shè)于所述玻璃基板上并覆蓋所述第一底柵極以及所述光遮擋層；

第一多晶硅層，設(shè)于所述緩沖層的表面并位于所述第一底柵極的上方，所述第一多晶硅層的兩側(cè)區(qū)域經(jīng)離子摻雜形成第一離子摻雜多晶硅層；

第二多晶硅層，設(shè)于所述緩沖層的表面并與所述第一多晶硅層間隔設(shè)置，第二多晶硅層位于所述光遮擋層的上方，所述第二多晶硅層的兩側(cè)區(qū)域經(jīng)所述離子摻雜形成第二離子摻雜多晶硅層；

柵極絕緣層，設(shè)于所述緩沖層上并完全覆蓋所述第一多晶硅層以及所述第二多晶硅層；

第一頂柵極，設(shè)于所述柵極絕緣層上并位于所述第一多晶硅層的上方；

第二頂柵極，設(shè)于所述柵極絕緣層上并位于所述第二多晶硅層的上方，所述第二頂柵極與所述第一頂柵極間隔設(shè)置；

層間絕緣層，設(shè)于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述第一頂柵極以及所述第二頂柵極；

第一源極以及第一漏極，位于所述第一頂柵極兩側(cè)；

第二源極以及第二漏極，位于所述第二頂柵極兩側(cè)；

鈍化層，設(shè)于所述層間絕緣層上并覆蓋第一源極、第一漏極、第二源極以及第二漏極；

平坦化層，設(shè)于所述鈍化層上；

像素電極，設(shè)于所述平坦化層上并與所述第二漏極相接觸；

像素定義層，設(shè)于所述平坦化層上并與所述像素電極的邊緣兩側(cè)相接觸；

OLED發(fā)光器件，設(shè)于所述像素電極上；

陰極金屬層，設(shè)于所述OLED發(fā)光器件上；

其中，所述第一源極經(jīng)由過孔與所述第一底柵極相接觸，所述第二源極經(jīng)由另一過孔與所述光遮擋層相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述離子摻雜為N型摻雜或P型摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述層間絕緣層上開設(shè)有第一過孔以及第二過孔，所述第一源極以及所述第一漏極分別通過所述第一過孔與所述第一離子摻雜多晶硅層相接觸，所述第二源極以及所述第二漏極分別通過所述第二過孔與所述第二離子摻雜多晶硅層相接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述層間絕緣層、所述柵極絕緣層以及所述緩沖層上分別形成位于所述第一底柵極上方并暴露出部分所述第一底柵極的第三過孔以及位于所述光遮擋層上方并暴露出部分所述光遮擋層的第四過孔，所述第一源極經(jīng)由所述第三過孔與所述第一底柵極相接觸，所述第二源極經(jīng)由所述第四過孔與所述光遮擋層相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述柵極絕緣層以及所述層間絕緣層的材料為氮化硅、二氧化硅或二者的組合；所述第一底柵極、所述光遮擋層、所述第一源極、所述第一漏極、第一頂柵極、第二頂柵極、所述第二源極以及所述第二漏極的材料為鉬、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。