[發明專利]一種LED封裝質量檢測方法在審
| 申請號: | 201910326091.0 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN111856240A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 蔡志嘉 | 申請(專利權)人: | 蘇州雷霆光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28;G01R31/26 |
| 代理公司: | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 崔巍 |
| 地址: | 215522 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 封裝 質量 檢測 方法 | ||
1.一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,包括有以下步驟:
S1,搭建a和b閉環磁芯線圈,并接入l回路中;
S2,在線圈的兩端并聯上電容C,與線圈L組成LC諧振回路;
S3,以交變的光激勵LED芯片時,次級線圈交變磁場則在次級線圈中產生感生電動勢力;
S4,若交變光頻率與LC諧振回路頻率相等時,LC回路發生共振;
S5,檢測次級線圈兩端感生電動勢,檢測支架回路光電流。
2.根據權利要求1所述的一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,所述LC諧振回路中,線圈中磁芯起到增強磁感應強度B的作用,從而增加檢測信號幅值,又線圈中磁芯的有效磁導率與相對磁導率間關系可表示為:式中,ue為磁芯的有效磁導率,ur為磁芯的相對磁導率,le為磁芯的有效磁路長度,lg為非閉合氣隙長度。
3.根據權利要求1所述的一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,所述S1中,感應LED支架回路中回路電流產生的交變磁通,再將條形磁芯搭接在U型磁芯上,使感應磁路閉合,由于搭接方式不同,兩種搭接方式的磁芯線圈處在支架回路所產生的交變磁場中時,其搭接處磁路也將不同。
4.根據權利要求1所述的一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,所述S2中,LED支架回路作為一級繞組,帶磁芯線圈作為次級繞組。
5.根據權利要求1所述的一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,所述S3中,支架回路中產生交變電流,交流載流回路會在周圍空間產生交變磁場。
6.根據權利要求1所述的一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,所述S4中,次級線圈兩端感生電動勢最大。
7.根據權利要求1所述的一種LED封裝質量檢測方法,其特征在于,所述S5中,實現對封裝工藝中芯片功能狀況及焊接質量的檢測。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州雷霆光電科技有限公司,未經蘇州雷霆光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910326091.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





