[發明專利]TFT陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201910325701.5
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN109979877A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 蒙艷紅;江志雄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

本發明提供一種TFT陣列基板及其制作方法。本發明的TFT陣列基板的制作方法在柵極絕緣層上依次制作底層半導體材料膜、摻雜半導體材料膜及第一金屬材料膜，并利用一道光罩對底層半導體材料膜、摻雜半導體材料膜及第一金屬材料膜進行圖案化，形成于柵極上方由下至上依次設置的底層半導體層、摻雜半導體層及金屬層，而后在柵極絕緣層及金屬層上形成第二金屬材料膜，對第二金屬材料膜、金屬層及摻雜半導體層進行圖案化，形成源極接觸塊、漏極接觸塊、源極及漏極，能夠降低源極與源極接觸塊的接觸界面及漏極與漏極接觸塊的接觸界面的接觸電阻，提高產品性能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制作方法。

背景技術

在顯示技術領域，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)、有機發光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)等平板顯示裝置已經逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示裝置。液晶顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。

現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。通常液晶顯示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管陣列基板之間的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封膠框(Sealant)組成。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。

現有的包括LCD及OLED顯示裝置在內的平板顯示裝置的TFT陣列基板的在制作時多采用5光罩(mask)技術。采用5mask技術制作TFT陣列基板的過程為：請參閱圖1，提供襯底100，在襯底100上制作柵極200，請參閱圖2，在柵極200及襯底100上制作柵極絕緣層300，在柵極絕緣層300上制作于柵極200上方由下至上依次設置的島狀的底層非晶硅(a-Si)層410及島狀的摻雜非晶硅層420，而后在摻雜非晶硅層420及柵極絕緣層300上形成金屬材料層，對金屬材料層及摻雜非晶硅層420進行圖案化，從而如圖3所示，形成位于底層非晶硅層410兩端上且間隔的源極接觸塊421及漏極接觸塊422以及分別與源極接觸塊421及漏極接觸塊422連接的源極510及漏極520，采用5mask技術制作TFT陣列基板時形成源極接觸塊421及漏極接觸塊422的摻雜非晶硅層420及形成源極510及漏極520的金屬材料層采用兩道不同的光罩進行圖案化，導致源極接觸塊421與源極510之間的接觸電阻以及漏極接觸塊422與漏極520之間的接觸電阻較大，導致制得的TFT陣列基板中TFT器件的開態電流偏低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種TFT陣列基板的制作方法，能夠降低源極與源極接觸塊的接觸界面及漏極與漏極接觸塊的接觸界面的接觸電阻，提高產品性能。

本發明的另一目的在于提供一種TFT陣列基板，能夠降低源極與源極接觸塊的接觸界面及漏極與漏極接觸塊的接觸界面的接觸電阻，提高產品性能。

為實現上述目的，本發明首先提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底，在襯底上依次制作柵極、柵極絕緣層、底層半導體材料膜、摻雜半導體材料膜及第一金屬材料膜；

步驟S2、利用一道光罩對底層半導體材料膜、摻雜半導體材料膜及第一金屬材料膜進行圖案化，形成于柵極上方由下至上依次設置的島狀的底層半導體層、島狀的摻雜半導體層及島狀的金屬層；

步驟S3、在柵極絕緣層及金屬層上形成第二金屬材料膜；