[發明專利]TFT陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201910325701.5
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN109979877A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 蒙艷紅;江志雄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底(10)，在襯底(10)上依次制作柵極(20)、柵極絕緣層(30)、底層半導體材料膜(49)、摻雜半導體材料膜(59)及第一金屬材料膜(67)；

步驟S2、利用一道光罩對底層半導體材料膜(49)、摻雜半導體材料膜(59)及第一金屬材料膜(67)進行圖案化，形成于柵極(20)上方由下至上依次設置的島狀的底層半導體層(40)、島狀的摻雜半導體層(58)及島狀的金屬層(68)；

步驟S3、在柵極絕緣層(30)及金屬層(68)上形成第二金屬材料膜(69)；

步驟S4、對第二金屬材料膜(69)、金屬層(68)及摻雜半導體層(58)進行圖案化，形成位于底層半導體層(40)兩端上方且間隔的源極接觸塊(51)及漏極接觸塊(52)以及分別與源極接觸塊(51)及漏極接觸塊(52)接觸的源極(61)及漏極(62)；所述源極(61)包括位于源極接觸塊(51)上的第一子源極(611)及與第一子源極(611)接觸的第二子源極(612)，所述漏極(62)包括位于漏極接觸塊(52)上的第一子漏極(621)及與第一子漏極(621)接觸的第二子漏極(622)。

2.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述底層半導體材料膜(49)的材料為非晶硅，所述摻雜半導體材料膜(59)的材料為經過離子摻雜的非晶硅。

3.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述摻雜半導體材料膜(59)的材料為經過N型離子摻雜的非晶硅。

4.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，第一子源極(611)的厚度與第一子漏極(621)的厚度相同，第二子源極(612)的厚度與第二子漏極(622)的厚度相同，第一子源極(611)的厚度小于第二子源極(612)的厚度。

5.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括步驟S5、在柵極絕緣層(30)、源極(61)及漏極(62)上形成鈍化層(70)；對鈍化層(70)進行圖案化，形成位于源極(61)及漏極(62)中的一個上方的過孔(71)；

步驟S6、在鈍化層(70)上制作像素電極(80)，所述像素電極(80)經過孔(71)與源極(61)漏極(62)中的一個接觸。

6.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括襯底(10)、設于襯底(10)上的柵極(20)、設于襯底(10)及柵極(20)上的柵極絕緣層(30)、設于柵極絕緣層(30)且位于柵極(20)上方的島狀的底層半導體層(40)、設于底層半導體層(40)兩端上方且間隔的源極接觸塊(51)及漏極接觸塊(52)以及分別與源極接觸塊(51)及漏極接觸塊(52)接觸的源極(61)及漏極(62)；所述源極(61)包括位于源極接觸塊(51)上的第一子源極(611)及與第一子源極(611)接觸的第二子源極(612)，所述漏極(62)包括位于漏極接觸塊(52)上的第一子漏極(621)及與第一子漏極(621)接觸的第二子漏極(622)。

7.如權利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述底層半導體層(40)的材料為非晶硅，所述源極接觸塊(51)及漏極接觸塊(52)的材料為經過離子摻雜的非晶硅。

8.如權利要求7所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述源極接觸塊(51)及漏極接觸塊(52)的材料為經過N型離子摻雜的非晶硅。

9.如權利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，第一子源極(611)的厚度與第一子漏極(621)的厚度相同，第二子源極(612)的厚度與第二子漏極(622)的厚度相同，第一子源極(611)的厚度小于第二子源極(612)的厚度。

10.如權利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括設于柵極絕緣層(30)、源極(61)及漏極(62)上的鈍化層(70)以及設于鈍化層(70)上的像素電極(80)；所述鈍化層(70)設有位于源極(61)及漏極(62)中的一個上方的過孔(71)，所述像素電極(80)經過孔(71)與源極(61)及漏極(62)中的一個接觸。