[發明專利]一種OLED器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201910323616.5
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110048022B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 潘凌翔;劉明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明涉及一種OLED器件及其制備方法。OLED器件包括基板、兩個陽極、輔助陰極、兩個堤壩、功能層、薄膜層以及面陰極。通過噴墨打印將高分子溶質溶解的良溶劑、不良溶劑或者良溶劑與不良溶劑的混合溶劑打印進入接觸孔底部的電子傳輸層上，使溶劑沖刷、溶解接觸孔底部的電子傳輸層，破壞其膜層結構形成納米顆粒結構，然后去除溶劑，形成薄膜層。由于納米顆粒的團聚效應，降低薄膜層均勻性，使得面陰極能夠與未被薄膜層覆蓋的輔助陰極直接導通，從而解決電壓降的問題；本發明還可以在沖刷電子傳輸層的溶劑中添加導體材料，增加薄膜層導電能力，使得面陰極還能通過混有導體材料的薄膜層與輔助陰極導通，從而進一步地解決電壓降的問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種OLED器件及其制備方法。

背景技術

OLED(英文全稱：Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)器件又稱為有機電激光顯示裝置、有機發光半導體。OLED的基本結構是由一薄而透明具有半導體特性的銦錫氧化物(ITO)與電力之正極相連，再加上另一個金屬面陰極，包成如三明治的結構。整個結構層中包括了:空穴傳輸層(HTL)、發光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當電力供應至適當電壓時，正極空穴與面陰極電荷就會在發光層中結合，在庫倫力的作用下以一定幾率復合形成處于激發態的激子(電子-空穴對)，而此激發態在通常的環境中是不穩定的，激發態的激子復合并將能量傳遞給發光材料，使其從基態能級躍遷為激發態，激發態能量通過輻射馳豫過程產生光子，釋放出光能，產生光亮，依其配方不同產生紅、綠和藍RGB三基色，構成基本色彩。

首先OLED的特性是自己發光，不像薄膜晶體管液晶顯示裝置(英文全稱：Thinfilm transistor-liquid crystal display，簡稱TFT-LCD)需要背光，因此可視度和亮度均高。其次OLED具有電壓需求低、省電效率高、反應快、重量輕、厚度薄，構造簡單，成本低、廣視角、幾乎無窮高的對比度、較低耗電、極高反應速度等優點，已經成為當今最重要的顯示技術之一，正在逐步替代TFT-LCD，有望成為繼LCD之后的下一代主流顯示技術。

目前OLED的應用方向有紅綠藍有機顯示裝置直接發光的技術，以及白色有機顯示裝置中加入彩色濾光片的發光技術兩大類。而產品主要分為較小尺寸的手機、Pad等屏幕和較大尺寸的TV屏幕等。

在大尺寸OLED屏幕方向，現有面市產品集中在底部發光結構，面陰極采用較厚的堿金屬。但是，隨著用戶對分辨率的要求越來越高，底部結構的OLED會受到開口率的限制，難以實現較高的分辨率。因此，越來越多的廠家將精力轉向頂部OLED的開發，以期望實現更高的分辨率。

但是，頂部OLED的面陰極通常采用較薄的透明金屬作為電極，此外為了避免對復雜Mask的使用，透明面陰極通過整面蒸鍍實現與屏幕邊緣電路的連接。由于要兼顧透過率，透明面陰極一般做得較薄，導致其導電能力較差。由R＝ρL/S條形電阻計算公式大致可知，在屏幕尺寸較大時，在屏幕中心的發光點，由于離電極接口較遠，長距離的電流傳輸使其驅動電壓上升較大。造成屏幕內邊緣靠近電極接口區域與屏幕中心區域驅動電壓差距過大，有電壓降(IR drop)的問題。因此需要對尋找一種新型的OLED器件以解決目前的OLED器件存在的電壓降的問題。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種OLED器件及其制備方法，其能夠解決目前的OLED器件存在的電壓降的問題。