[發明專利]一種OLED器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201910323616.5
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110048022B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 潘凌翔;劉明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種OLED器件，其特征在于，包括：

基板；

兩個陽極，所述兩個陽極在所述基板上分隔設置；

輔助陰極，所述輔助陰極設置于所述兩個陽極之間的所述基板上；

兩個堤壩，所述兩個堤壩相對設置于所述輔助陰極兩側上方；

所述兩個堤壩與所述輔助陰極的表面形成一接觸孔；

功能層，所述功能層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層設置于所述兩個陽極及所述兩個堤壩上；

薄膜層，所述薄膜層設置在所述接觸孔底部并部分覆蓋所述輔助陰極表面，其中所述薄膜層的構成材料結構包括由所述電子傳輸層材料轉化形成的納米顆粒結構；

面陰極，所述面陰極設置于所述電子傳輸層上和所述接觸孔內，所述接觸孔內的面陰極與未被所述薄膜層覆蓋的輔助陰極直接導通。

2.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述薄膜層的電子傳輸層材料的納米顆粒結構包括1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯納米粒子和/或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯納米粒子。

3.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述薄膜層的構成材料還包括導體材料，所述導體材料包括石墨烯和/或納米銀。

4.根據權利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述接觸孔內的面陰極還通過所述薄膜層與所述輔助陰極導通。

5.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述功能層還包括：

空穴注入層，所述空穴注入層設置于所述兩個陽極上；

空穴傳輸層，所述空穴傳輸層設置于所述空穴注入層上；以及

發光層，所述發光層設置于所述空穴傳輸層上；

所述電子傳輸層設置于所述發光層、接觸孔底部及所述兩個堤壩上。

6.一種OLED器件的制備方法，其特征在于，包括：

S1，提供一基板，在所述基板上分隔制備出兩個陽極，并在所述兩個陽極之間的基板上制備出輔助陰極，在所述輔助陰極兩側上方相對制備出兩個堤壩，使得所述兩個堤壩與所述輔助陰極的表面形成一接觸孔；

S2，在所述兩個陽極上分別制備出空穴注入層、空穴傳輸層以及發光層；

S3，在所述發光層、接觸孔底部以及兩個堤壩上制備出電子傳輸層；

S4，將所述接觸孔底部設置的電子傳輸層轉化為由其材料的納米顆粒結構構成的薄膜層；

S5，在所述電子傳輸層上以及接觸孔內制備面陰極，使接觸孔內的面陰極與未被所述薄膜層覆蓋的輔助陰極直接導通。

7.根據權利要求6所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層轉化為薄膜層的制備步驟為：通過噴墨打印的方式將一溶劑打印進入所述接觸孔底部的所述電子傳輸層表面，對形成在所述接觸孔底部的所述電子傳輸層進行沖刷、溶解，以破壞其膜層結構形成納米顆粒結構，然后通過干泵泵抽的方式使溶劑揮發去除所述溶劑，使得所述電子傳輸層的納米顆粒結構構成所述薄膜層。

8.根據權利要求7所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述溶劑包括高分子溶質溶解的良溶劑和/或不良溶劑；所述良溶劑包括N,N-二甲基甲酰胺和/或四氫呋喃，所述不良溶劑包括甲醇和/或乙醇。

9.根據權利要求8所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述溶劑中還添加有導體材料，所述導體材料包括石墨烯和/或納米銀。

10.根據權利要求9所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，所述接觸孔內的面陰極還通過所述薄膜層與所述輔助陰極導通。