[發(fā)明專利]光致抗蝕刻劑薄膜及應用其的光蝕刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910323364.6
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110032043B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設計）人: 陳俊銘
• 申請（專利權(quán)）人: 業(yè)成科技（成都）有限公司;業(yè)成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/09
• 分類號: G03F7/09;G03F7/16;G03F7/42
• 代理公司: 成都希盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

1.一種光蝕刻方法，包括如下步驟：

提供一基板，所述基板為透明材料，所述基板包括相背的第一表面及第二表面，將一材料層設置于所述第一表面，將一第一光致抗蝕刻劑薄膜設置于所述材料層遠離所述基板一側(cè)；

提供一第二光致抗蝕刻劑薄膜，所述第二光致抗蝕刻劑薄膜為多層結(jié)構(gòu)，至少包括一層隔光層和一層感光層，所述隔光層為不透明材料，所述感光層為不透明材料，所述感光層包含感光材料，所述感光層的吸光度大于或等于3，所述感光層的材料性質(zhì)會因光照發(fā)生改變，所述感光層被光照射的部分和未被光照射的部分對于同一種溶劑的溶解度不相同；

將所述第二光致抗蝕刻劑薄膜設置于所述第二表面，將所述隔光層設置于所述第二光致抗蝕刻劑薄膜靠近所述基板一側(cè)，將所述感光層設置于所述第二光致抗蝕刻劑薄膜遠離所述基板一側(cè)；

將所述基板放置于一曝光機臺上，對所述第一光致抗蝕刻劑薄膜及所述第二光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光；

使用蝕刻液對曝光后的所述第一光致抗蝕刻劑薄膜以及所述材料層進行蝕刻，使所述材料層獲得一第一圖案，去除所述第一光致抗蝕刻劑薄膜；

使用蝕刻液對曝光后的所述第二光致抗蝕刻劑薄膜進行蝕刻，使所述第二光致抗蝕刻劑薄膜獲得一第二圖案；以及

提供一第三光致抗蝕刻劑薄膜，將所述第三光致抗蝕刻劑薄膜設置于所述材料層遠離所述基板一側(cè)，所述感光層具備所述第二圖案，使所述感光層對應所述第二圖案開設有貫穿所述感光層的第一開口，從所述第二光致抗蝕刻劑薄膜所在的方向?qū)λ龅谌庵驴刮g刻劑薄膜進行曝光，曝光過程中光線通過所述第一開口照射至所述第三光致抗蝕刻劑薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的光蝕刻方法，其特征在于，還包括如下步驟：使用蝕刻液對所述第三光致抗蝕刻劑薄膜進行蝕刻使其獲得所述第二圖案，通過具備所述第二圖案的所述第三光致抗蝕刻劑薄膜對所述材料層進行蝕刻將所述第二圖案轉(zhuǎn)移至所述材料層。

3.如權(quán)利要求2所述的光蝕刻方法，其特征在于，還包括如下步驟：去除所述第二光致抗蝕刻劑薄膜及所述第三光致抗蝕刻劑薄膜。

4.如權(quán)利要求1至2任意一項所述的光蝕刻方法，其特征在于：對所述第一光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光時，用于曝光的光線被所述隔光層遮擋且無法照射所述感光層。

5.如權(quán)利要求1所述的光蝕刻方法，其特征在于：所述隔光層對應所述第二圖案設置有貫穿所述隔光層的第二開口，所述第二開口的面積大于所述第一開口的面積。