[發明專利]光致抗蝕刻劑薄膜及應用其的光蝕刻方法

有效

• 申請號: 201910323364.6
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110032043B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 陳俊銘
• 申請（專利權）人: 業成科技（成都）有限公司;業成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/09
• 分類號: G03F7/09;G03F7/16;G03F7/42
• 代理公司: 成都希盛知識產權代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

一種光蝕刻方法，提供一基板，基板為透明材料，基板包括相背的第一表面及第二表面，一材料層設置于第一表面，一第一光致抗蝕刻劑薄膜設置于材料層遠離基板一側；提供一第二光致抗蝕刻劑薄膜，將第二光致抗蝕刻劑薄膜設置于第二表面，所述隔光層設置于第二光致抗蝕刻劑薄膜靠近基板一側，所述感光層設置于第二光致抗蝕刻劑薄膜遠離基板一側；將基板放置于一曝光機臺上，對第一光致抗蝕刻劑薄膜及第二光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光；使用蝕刻液對曝光后的第一光致抗蝕刻劑薄膜以及材料層進行蝕刻，使材料層獲得一第一圖案，隨后去除第一光致抗蝕刻劑薄膜；使用蝕刻液對曝光后的第二光致抗蝕刻劑薄膜進行蝕刻，使第二光致抗蝕刻劑薄膜獲得一第二圖案。

技術領域

本發明涉及光蝕刻工藝，尤其涉及光致抗蝕刻劑薄膜及應用該光致抗蝕刻劑薄膜的光蝕刻方法。

背景技術

光蝕刻是一種應用廣泛的蝕刻工藝，其普遍應用于顯示、觸控等領域的元件制造。現有的光蝕刻方法在處理多層結構或單層復雜結構的蝕刻時，往往通過多次曝光蝕刻的方式對元件進行加工，多次蝕刻過程中往往需對元件進行多次定位，每次定位都需要重新抓取定位點進行定位，目前的對位精度難以保證每次定位的位置完全準確，多次定位必然導致位置偏差或出現公差疊加使得誤差增大，如何解決該問題是本領域技術人員需要考慮的。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種精度高、誤差小的光蝕刻方法及適用于該方法的光致抗蝕刻薄膜。

一種光致抗蝕刻劑薄膜，所述光致抗蝕刻劑薄膜為多層結構，至少包括一層隔光層和一層感光層，所述隔光層不透光，所述感光層為不透明材料，所述感光層包含感光材料，所述感光層的材料性質會因光照發生改變。

于一實施例中，所述感光層的吸光度大于或等于3。

一種光蝕刻的方法，包括如下步驟：

提供一基板，所述基板為透明材料，所述基板包括相背的第一表面及第二表面，將一材料層設置于所述第一表面，將一第一光致抗蝕刻劑薄膜設置于所述材料層遠離所述基板一側；

提供一第二光致抗蝕刻劑薄膜，所述第二光致抗蝕刻劑薄膜為前述的光致抗蝕刻劑薄膜，將所述第二光致抗蝕刻劑薄膜設置于所述第二表面，將所述隔光層設置于所述第二光致抗蝕刻劑薄膜靠近所述基板一側，將所述感光層設置于所述第二光致抗蝕刻劑薄膜遠離所述基板一側；

將所述基板放置于一曝光機臺上，對所述第一光致抗蝕刻劑薄膜及所述第二光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光；

使用蝕刻液對曝光后的所述第一光致抗蝕刻劑薄膜以及所述材料層進行蝕刻，使所述材料層獲得一第一圖案，去除所述第一光致抗蝕刻劑薄膜；以及

使用蝕刻液對曝光后的所述第二光致抗蝕刻劑薄膜進行蝕刻，使所述第二光致抗蝕刻劑薄膜獲得一第二圖案。

于一實施例中，還包括如下步驟：提供一第三光致抗蝕刻劑薄膜，將所述第三光致抗蝕刻劑薄膜設置于所述材料層遠離所述基板一側，所述感光層具備所述第二圖案，使所述感光層對應所述第二圖案開設有貫穿所述感光層的第一開口，從所述第二光致抗蝕刻劑薄膜所在的方向對所述第三光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光，曝光過程中光線通過所述第一開口照射至所述第三光致抗蝕刻劑薄膜。

于一實施例中，還包括如下步驟：使用蝕刻液對所述第三光致抗蝕刻劑薄膜進行蝕刻使其獲得所述第二圖案，通過具備所述第二圖案的所述第三光致抗蝕刻劑薄膜對所述材料層進行蝕刻將所述第二圖案轉移至所述材料層。

于一實施例中，還包括如下步驟：去除所述第二光致抗蝕刻劑薄膜及所述第三光致抗蝕刻劑薄膜。

于一實施例中，對第一光致抗蝕刻劑薄膜及第二光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光時，使用不同的光源對所述第一光致抗蝕刻劑薄膜及第二光致抗蝕刻劑薄膜進行曝光。