[發明專利]透明導電性薄膜及其制造方法

在審

• 申請號: 201910322990.3
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN110033879A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 川上梨恵;梨木智剛;藤野望;佐佐和明;待永廣宣;黑瀨愛美;松田知也
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/02;G06F3/044
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供具有透明導電層的電阻率低且厚度薄這樣的特性、并且耐裂紋性優異的透明導電性薄膜及其制造方法。本實施方式的透明導電性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明導電層(3)。透明導電性薄膜(1)可以為長條狀，且被卷繞成卷狀。透明導電層(3)為包含銦錫復合氧化物的結晶質透明導電層，殘余應力為600MPa以下，電阻率為1.1×10^?4Ω·cm～3.0×10^?4Ω·cm，厚度為15nm～40nm。

本申請是申請日為2015年5月15日、申請號為201580002175.9、發明名稱為透明導電性薄膜及其制造方法的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及在高分子薄膜基材上具有結晶質透明導電層的透明導電性薄膜及其制造方法。

背景技術

在高分子薄膜基材上形成有ITO層(銦錫復合氧化物層)等透明導電層的透明導電性薄膜被廣泛用于觸摸面板等。近年來，伴隨面板的大畫面化和薄型化，對于ITO層，要求電阻率的進一步降低和薄膜化。

薄型ITO層中，為了確保與現有類型的ITO層同等的表面電阻值，需要提高ITO層的結晶度，進一步降低電阻率值。結晶度高的ITO層缺乏柔軟性，因此一般來說具有薄型ITO層的透明導電性薄膜具有在制造時的輸送工序、觸摸面板等的裝配工序中起因于由彎曲造成的負荷而在ITO層的表面產生裂紋的傾向。ITO層的表面產生裂紋時，電阻率顯著上升，損害ITO層的特性。

例如，作為在高分子薄膜基材上形成有ITO層的透明導電性薄膜，提出了ITO層的壓縮殘余應力為0.4～2GPa的透明導電性薄膜(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-150779號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，專利文獻1中，僅僅是以提高重載荷下的撞擊點特性作為課題，公開了賦予高壓縮殘余應力的方案，完全沒有公開防止制造時產生裂紋之類的課題。另外，專利文獻1中公開的透明導電性薄膜的ITO層的電阻率非常高，為6.0×10^-4Ω·cm。

本發明的目的在于提供具有透明導電層的電阻率低且厚度薄這樣的性狀、并且耐裂紋性優異的透明導電性薄膜及其制造方法。

用于解決問題的方案

為了達成上述目的，本發明的透明導電性薄膜的特征在于，其為具有高分子薄膜基材且在前述高分子薄膜基材的至少一個主表面上具有透明導電層的透明導電性薄膜，前述透明導電層為包含銦錫復合氧化物的結晶質透明導電層，前述透明導電層的殘余應力為600MPa以下，前述透明導電層的電阻率為1.1×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，前述透明導電層的厚度為15nm～40nm。

優選的是，前述透明導電層的電阻率為1.1×10^-4Ω·cm～2.2×10^-4Ω·cm。

優選的是，前述透明導電層是通過熱處理使形成于前述高分子薄膜基材上的非晶質透明導電層進行晶體轉化而得到的，相對于前述非晶質透明導電層，前述透明導電層的面內的最大尺寸變化率為-1.0～0％。

另外，優選的是，前述透明導電性薄膜為長條狀，且被卷繞成卷狀。

另外，優選的是，前述非晶質透明導電層在110～180℃、150分鐘以下進行晶體轉化。

優選的是，前述透明導電層的由{氧化錫/(氧化銦+氧化錫)}×100(％)表示的氧化錫的比率為0.5～15重量％。