[發明專利]透明導電性薄膜及其制造方法

在審

• 申請號: 201910322990.3
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN110033879A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 川上梨恵;梨木智剛;藤野望;佐佐和明;待永廣宣;黑瀨愛美;松田知也
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/02;G06F3/044
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種透明導電性薄膜，其特征在于，其為具有高分子薄膜基材且在所述高分子薄膜基材的至少一個主表面上具有透明導電層的透明導電性薄膜，

所述透明導電層為包含銦錫復合氧化物的結晶質透明導電層，

所述透明導電層的殘余應力為600MPa以下，

所述透明導電層的電阻率為1.1×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，

所述透明導電層的厚度為15nm～40nm，

電阻變化率為4.0以下。

2.一種透明導電性薄膜，其特征在于，其為具有高分子薄膜基材且在所述高分子薄膜基材的至少一個主表面上具有透明導電層的透明導電性薄膜，

所述透明導電層為包含銦錫復合氧化物的結晶質透明導電層，

所述透明導電層的殘余應力為380MPa以下，

所述透明導電層的電阻率為1.1×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，

所述透明導電層的厚度為15nm～40nm。

3.根據權利要求1或2所述的透明導電性薄膜，其中，所述透明導電層的電阻率為1.1×10^-4Ω·cm～2.2×10^-4Ω·cm。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述透明導電層是通過熱處理使形成于所述高分子薄膜基材上的非晶質透明導電層進行晶體轉化而得到的，

相對于所述非晶質透明導電層，所述透明導電層的面內的最大尺寸變化率為-1.0～0％。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，其為長條狀，且被卷繞成卷狀。

6.根據權利要求4所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述非晶質透明導電層在110～180℃、150分鐘以下進行晶體轉化。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述透明導電層的由{氧化錫/(氧化銦+氧化錫)}×100(％)表示的氧化錫的比率為0.5～15重量％。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述透明導電層為自所述高分子薄膜基材側起依次層疊第一銦-錫復合氧化物層、第二銦-錫復合氧化物層而成的2層膜，

所述第一銦-錫復合氧化物層的氧化錫含量為6重量％～15重量％，

所述第二銦-錫復合氧化物層的氧化錫含量為0.5重量％～5.5重量％。

9.根據權利要求1～7中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，所述透明導電層為自所述高分子薄膜基材側起依次層疊第一銦-錫復合氧化物層、第二銦-錫復合氧化物層、第三銦-錫復合氧化物層而成的3層膜，

所述第一銦錫氧化物層的氧化錫的含量為0.5重量％～5.5重量％，

所述第二銦錫氧化物層的氧化錫的含量為6重量％～15重量％，

所述第三銦錫氧化物層的氧化錫的含量為0.5重量％～5.5重量％。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，在所述高分子薄膜基材的至少一個主表面上形成有利用濕式成膜法形成的有機系電介質層，在所述有機系電介質層上形成有所述透明導電層。

11.根據權利要求1～9中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，在所述高分子薄膜基材的至少一個主表面上形成有利用真空成膜法形成的無機系電介質層，在所述無機系電介質層上形成有所述透明導電層。

12.根據權利要求1～9中任一項所述的透明導電性薄膜，其特征在于，在所述高分子薄膜基材的至少一個主表面上依次形成有利用濕式成膜法形成的有機系電介質層、利用真空成膜法形成的無機系電介質層、所述透明導電層。