[發(fā)明專利]具有只讀存儲(chǔ)器特征的非易失性存儲(chǔ)器裝置及系統(tǒng)及其操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910322868.6
• 申請(qǐng)日: 2019-04-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110390983A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·B·考爾斯;G·B·雷德;J·S·雷赫邁耶;J·S·帕里
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C16/08
• 分類號(hào): G11C16/08;G11C16/14;G11C16/26
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)案涉及具有只讀存儲(chǔ)器特征的非易失性存儲(chǔ)器裝置及系統(tǒng)及其操作方法，其中非易失性存儲(chǔ)器陣列的至少子集經(jīng)配置以通過(guò)不實(shí)施擦除或?qū)懭朊疃憩F(xiàn)為只讀存儲(chǔ)器。在本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種存儲(chǔ)器裝置，其包括非易失性存儲(chǔ)器陣列以及電路，所述電路經(jīng)配置以存儲(chǔ)所述非易失性存儲(chǔ)器陣列的一或多個(gè)地址，以及將接收命令的地址與所述一或多個(gè)地址進(jìn)行比較，并且至少部分基于所述比較確定不實(shí)施所述接收命令。所述電路可進(jìn)一步經(jīng)配置以在確定不實(shí)施所述接收命令之后返回錯(cuò)誤消息。

相關(guān)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案含有與由蒂莫西B.考爾斯(Timothy B.Cowles)、喬納森S.帕里(Jonathan S.Parry)、喬治B.拉德(George B.Raad)及詹姆斯S.熱米爾(JamesS.Rehmeyer)同時(shí)申請(qǐng)的標(biāo)題為“具有非易失性存儲(chǔ)器特征的非易失性存儲(chǔ)器裝置及系統(tǒng)及其操作方法(NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS WITH VOLATILE MEMORYFEATURES AND METHODS FOR OPERATING THE SAME)”美國(guó)專利申請(qǐng)案相關(guān)的標(biāo)的物。所述相關(guān)申請(qǐng)案轉(zhuǎn)讓給美光科技公司(Micron Technology,Inc.)，并由檔案號(hào)碼010829-9251.US00識(shí)別。所述申請(qǐng)案的標(biāo)的物以引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更特定來(lái)說(shuō)，涉及具有只讀存儲(chǔ)器特征的非易失性存儲(chǔ)器裝置及系統(tǒng)及其操作方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置廣泛用于存儲(chǔ)與例如計(jì)算機(jī)、無(wú)線通信裝置、照相機(jī)、數(shù)字顯示器及類似者的各種電子裝置相關(guān)的信息。存儲(chǔ)器裝置經(jīng)常作為內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路及/或計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的外部可卸除裝置提供。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器，包含易失性及非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器(包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)及同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)等)可能需要施加電力源來(lái)維持其數(shù)據(jù)。相比之下，非易失性存儲(chǔ)器即使在沒(méi)有外部供電的情況下也可保留其所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器可用于多種技術(shù)，包含快閃存儲(chǔ)器(例如，NAND及NOR)相變存儲(chǔ)器(PCM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)及磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)等。一般來(lái)說(shuō)，改進(jìn)存儲(chǔ)器裝置可包含增加存儲(chǔ)器單元密度，增加讀取/寫入速度或以其它方式減少操作等待時(shí)間，增加可靠性，增加數(shù)據(jù)保留，降低功耗或降低制造成本等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種存儲(chǔ)器裝置，其包括：非易失性存儲(chǔ)器陣列；及電路，其經(jīng)配置以：存儲(chǔ)所述非易失性存儲(chǔ)器陣列的一或多個(gè)地址；將接收命令的地址與所述一或多個(gè)地址進(jìn)行比較；以及至少部分基于所述比較，確定不實(shí)施所述接收命令。

本發(fā)明的另一方面提供一種操作包含非易失性存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法包括：使用所述存儲(chǔ)器裝置存儲(chǔ)所述非易失性存儲(chǔ)器陣列的一或多個(gè)地址；將接收命令的地址與所述一或多個(gè)地址進(jìn)行比較；以及至少部分基于所述比較，確定不實(shí)施所述接收命令。

本發(fā)明的另一方面提供一種操作包含非易失性存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)器裝置的方法，其包括：向存儲(chǔ)器裝置發(fā)送命令以配置所述非易失性存儲(chǔ)器陣列的子集以不實(shí)施擦除或?qū)懭朊睿患皩⒔?jīng)配置為只讀的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述非易失性存儲(chǔ)器陣列的所述子集中。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性地說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的框圖。

圖2是說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器裝置的方法的流程圖。

圖3是說(shuō)明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器裝置的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式