[發明專利]具有只讀存儲器特征的非易失性存儲器裝置及系統及其操作方法在審
| 申請號: | 201910322868.6 | 申請日: | 2019-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN110390983A | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發明(設計)人: | T·B·考爾斯;G·B·雷德;J·S·雷赫邁耶;J·S·帕里 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C16/08 | 分類號: | G11C16/08;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器陣列 只讀存儲器 接收命令 非易失性存儲器裝置 配置 電路 存儲器裝置 錯誤消息 寫入命令 申請案 擦除 子集 存儲 返回 表現 | ||
1.一種存儲器裝置,其包括:
非易失性存儲器陣列;及
電路,其經配置以:
存儲所述非易失性存儲器陣列的一或多個地址;
將接收命令的地址與所述一或多個地址進行比較;以及
至少部分基于所述比較,確定不實施所述接收命令。
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述接收命令是寫入命令或擦除命令。
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述電路經配置以將所述一或多個地址存儲在所述存儲器裝置的一次寫入多次讀取WORM存儲器中。
4.根據權利要求3所述的存儲器裝置,其中所述電路進一步經配置以:
響應于在所述存儲器裝置處接收的命令,將所述一或多個地址寫入所述一次寫入多次讀取WORM存儲器。
5.根據權利要求3所述的存儲器裝置,其中所述一次寫入多次讀取WORM存儲器包括熔絲陣列、反熔絲陣列或其組合。
6.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述電路經配置以將所述一或多個地址存儲在所述存儲器裝置的模式寄存器中。
7.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述電路經配置以響應于所述接收命令對應于所述一或多個地址而確定不實施所述接收命令。
8.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述電路經配置以響應于所述接收命令不對應于所述一或多個地址而確定不實施所述接收命令。
9.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述電路進一步經配置以在確定不實施所述接收命令之后返回錯誤消息。
10.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述非易失性存儲器陣列包括NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、MRAM、FeRAM、PCM或其組合。
11.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中單個半導體裸片包括所述非易失性存儲器陣列及所述電路。
12.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中存儲器控制器裸片包括所述電路且存儲器裸片包括所述非易失性存儲器陣列。
13.一種操作包含非易失性存儲器陣列的存儲器裝置的方法,所述方法包括:
使用所述存儲器裝置存儲所述非易失性存儲器陣列的一或多個地址;
將接收命令的地址與所述一或多個地址進行比較;以及
至少部分基于所述比較,確定不實施所述接收命令。
14.根據權利要求13所述的方法,其中所述接收命令是寫入命令或擦除命令。
15.根據權利要求13所述的方法,其中存儲所述一或多個地址包括將所述一或多個地址存儲在所述存儲器裝置的一次寫入多次讀取WORM存儲器中。
16.根據權利要求15所述的方法,其進一步包括:
響應于在所述存儲器裝置處接收的命令,將所述一或多個地址寫入所述一次寫入多次讀取WORM存儲器。
17.根據權利要求15所述的方法,其中所述一次寫入多次讀取WORM存儲器包括熔絲陣列、反熔絲陣列或其組合。
18.根據權利要求13所述的方法,其中存儲所述一或多個地址包括將所述一或多個地址存儲在所述存儲器裝置的模式寄存器中。
19.根據權利要求13所述的方法,其中所述確定不實施所述接收命令是響應于所述接收命令對應于所述一或多個地址。
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