[發明專利]遮罩及其制造方法和使用方法

有效

• 申請號: 201910319701.4
• 申請日: 2019-04-19
• 公開（公告）號: CN110824853B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 廖啟宏;廖主瑋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/38;G03F1/52;G03F1/54
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種遮罩及其制造方法和使用方法。遮罩的使用方法方法包括將遮罩夾持在遮罩臺上，其中遮罩包括多層磁膜；通過使用遮罩來執行第一微影制程；使遮罩移動遠離遮罩臺；以及確認多層薄膜的表面層的表面狀況是否可接受；以及當表面層的表面狀況被確認為不可接受時自多層磁膜剝離多層磁膜的表面層。

技術領域

本揭露是關于一種遮罩及其制造方法和使用方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit；IC)工業已經歷指數增長。IC材料及設計中的技術進步已產生了幾代IC，其中每代具有比前一代更小且更復雜的電路。在IC進化中，功能密度(亦即，每晶片面積的互連元件的數目)通常已增加，而幾何尺寸(亦即，可使用制造制程產生的最小部件(或接線))已減小。此按比例縮小制程通常通過增大生產效率及降低相關聯的成本來提供益處。此按比例縮小亦增加了IC處理及制造的復雜性。為了實現這些進步，需要IC處理及制造中的類似發展。舉例而言，對執行較高解析度的微影制程的需要增長了。一種微影技術為極紫外線微影(EUVL)。其他技術包括X-Ray微影術、離子束投影微影術、電子束投影微影術，及多電子束無遮罩微影術。

EUVL采用使用具有約1至100nm波長的極紫外線(EUV)區域的光的掃描器。一些EUV掃描器提供4倍縮小投影列印，類似于一些光學掃描器，除了EUV掃描器使用反射光學元件而非折射光學元件，亦即，鏡子代替了透鏡。EUV掃描器通過轉移由吸收層限定的遮罩圖案提供晶圓上的所需圖案。目前，在EUVL中采用伴隨軸上照明(ONI)的二元強度遮罩(BIM)。為了實現未來節點(例如，具有32nm及22nm的最小間距的節點等)的充足的空間圖像對比度，已開發了例如衰減相移式遮罩(AttPSM)及交變相移式遮罩(AltPSM)的若干技術，以獲得EUVL的解析度增強。但每一技術具有其需要克服的局限性。舉例而言，然而吸收層可能不會完全吸收入射光且入射光的部分自吸收層反射。吸收層的厚度亦導致陰影效應。所有這些情況時常導致降低的空間圖像對比度，此可導致差的圖案輪廓及差的解析度，尤其是當圖案特征的大小繼續減小時。需要在此領域中進行改良。

發明內容

在本揭示案的一些實施例中，一種方法包括將遮罩夾持在遮罩臺上，其中遮罩包括多層磁膜；通過遮罩來執行第一微影制程；將遮罩自遮罩臺移開；以及確認多層薄膜的表面層的表面狀況是否可接受；以及當表面層的表面狀況被確認為不可接受時自多層磁膜剝離多層磁膜的表面層。

在本揭示案的一些實施例中，一種方法包括將第一磁層附接至基板上；將第二磁層附接至第一磁層上；在基板上形成反射性多層；在反射性多層上形成吸收層；以及圖案化吸收層。

在本揭示案的一些實施例中，一種遮罩包括基板、多層磁膜、反射性多層，及經圖案化的吸收層。多層磁膜安置于基板上，其中多層磁膜包括多個磁層。基板在多層磁膜與反射性多層之間。反射性多層在經圖案化的吸收層與基板之間。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時得以自以下詳細描述最佳地理解本揭露的態樣。應注意，根據工業上的標準實務，各種特征并未按比例繪制。實際上，為了論述清楚可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1至圖9為根據本揭露的一些實施例的處于各種階段的用于制造遮罩的方法的橫截面圖；

圖10為根據本揭露的一些實施例的用于操作遮罩的方法；

圖11至圖16為根據本揭露的一些實施例的處于操作的各種階段的遮罩。

具體實施方式