[發(fā)明專利]附著基板的方法和用于附著基板的設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910316419.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110391155A | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金泰珍;姜錫宙;金相喆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李強(qiáng);金丹 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 附著基板 氣體供應(yīng)器 傳送單元 離型膜 基板剝離 基板附著 噴射氣體 凸出地 粘附體 梭臺(tái) 抬起 附著 | ||
本公開涉及一種附著基板的方法和用于附著基板的設(shè)備,所述方法包括:將附著有離型膜的基板置于梭臺(tái)上;從所述基板剝離所述離型膜;由傳送單元從所述梭臺(tái)抬起所述基板;由氣體供應(yīng)器朝向所述基板噴射氣體使得所述基板在遠(yuǎn)離所述氣體供應(yīng)器的方向上凸出地彎曲;由所述傳送單元將所述基板傳送到室中;將所述基板置于所述室中的主臺(tái)上;以及將所述基板附著到粘附體。
本申請(qǐng)要求于2018年4月19日提交的第10-2018-0045501號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,出于如同在文中充分闡述的所有目的,通過引用特此包含該韓國專利申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的示例性實(shí)施例一般性地涉及附著基板的方法,并且更具體地涉及用于附著基板的設(shè)備。
背景技術(shù)
顯示裝置基于其發(fā)光機(jī)制可分類為液晶顯示(“LCD”)裝置、有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)顯示裝置、等離子體顯示面板(“PDP”)裝置和電泳顯示裝置等。
一般來說,顯示裝置包括窗、顯示面板和多個(gè)功能膜,所述多個(gè)功能膜中的每個(gè)可附著到相鄰組件。離型膜可附著到有待附著的至少兩個(gè)對(duì)象中的一個(gè)的表面,使得在去除離型膜之后可進(jìn)行附著工藝。然而,在離型膜的去除期間可產(chǎn)生諸如灰塵和碎屑的雜質(zhì),并且雜質(zhì)可降低附著工藝的精度。
如果附著工藝的精度被降低,則有待附著的對(duì)象之間的附著力可被降低,因此顯示裝置的可靠性和顯示質(zhì)量可被降低。因此,需要一種穩(wěn)定地和精確地附著基板的方法和一種用于穩(wěn)定地和精確地附著基板的設(shè)備。
在該背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于發(fā)明構(gòu)思的背景的理解,因此,以上信息可包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種穩(wěn)定地和精確地附著基板的方法和一種用于穩(wěn)定地和精確地附著基板的設(shè)備以提高顯示裝置的可靠性和顯示質(zhì)量。
本發(fā)明構(gòu)思的附加特征將在后面的描述中闡述,并且所述附加特征將從所述描述中部分地顯現(xiàn),或者可通過本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐習(xí)得。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種附著基板的方法,所述方法包括:將附著有離型膜的基板置于梭臺(tái)上;從所述基板剝離所述離型膜;由傳送單元從所述梭臺(tái)抬起所述基板;由氣體供應(yīng)器朝向所述基板噴射氣體使得所述基板在遠(yuǎn)離所述氣體供應(yīng)器的方向上凸出地彎曲;由所述傳送單元將所述基板傳送到室中;將所述基板置于所述室中的主臺(tái)上;以及將所述基板附著到粘附體。
所述基板可包括基體層和粘合劑層,并且所述傳送單元可不接觸所述粘合劑層的上表面。
在由所述傳送單元將所述基板傳送到所述室中的過程中,可在彎曲狀態(tài)下傳送所述基板。
在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,所述基板可從所述基板的中央部至所述基板的邊緣部依次接觸所述主臺(tái)。
在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,所述氣體供應(yīng)器可朝向所述基板噴射氣體。
在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,可通過在所述主臺(tái)中限定的至少一個(gè)孔將所述基板真空吸附到所述主臺(tái)。
所述主臺(tái)可包括中央部和介于所述中央部和邊緣之間的外圍部,并且所述主臺(tái)可具有位于所述中央部處的多個(gè)第一孔和位于所述外圍部處的多個(gè)第二孔。
在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,可通過所述多個(gè)第一孔真空吸附所述基板,然后可通過所述多個(gè)第二孔真空吸附所述基板。
在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,可由位于所述第一孔處的吸附墊固定所述基板,然后可通過所述多個(gè)第二孔真空吸附所述基板。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





