[發(fā)明專利]附著基板的方法和用于附著基板的設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910316419.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110391155A | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金泰珍;姜錫宙;金相喆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李強(qiáng);金丹 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 附著基板 氣體供應(yīng)器 傳送單元 離型膜 基板剝離 基板附著 噴射氣體 凸出地 粘附體 梭臺(tái) 抬起 附著 | ||
1.一種附著基板的方法,其中,所述方法包括:
將附著有離型膜的基板置于梭臺(tái)上;
從所述基板剝離所述離型膜;
由傳送單元從所述梭臺(tái)抬起所述基板;
由氣體供應(yīng)器朝向所述基板噴射氣體使得所述基板在遠(yuǎn)離所述氣體供應(yīng)器的方向上凸出地彎曲;
由所述傳送單元將所述基板傳送到室中;
將所述基板置于所述室中的主臺(tái)上;以及
將所述基板附著到粘附體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
所述基板包括基體層和粘合劑層;并且
所述傳送單元不接觸所述粘合劑層的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在由所述傳送單元將所述基板傳送到所述室中的過程中,在彎曲狀態(tài)下傳送所述基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,所述基板從所述基板的中央部至所述基板的邊緣部依次接觸所述主臺(tái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,所述氣體供應(yīng)器朝向所述基板噴射氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,通過在所述主臺(tái)中限定的至少一個(gè)孔將所述基板真空吸附到所述主臺(tái)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
所述主臺(tái)包括中央部和介于所述中央部和邊緣之間的外圍部;并且
所述主臺(tái)具有位于所述中央部處的多個(gè)第一孔和位于所述外圍部處的多個(gè)第二孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,通過所述多個(gè)第一孔真空吸附所述基板,然后通過所述多個(gè)第二孔真空吸附所述基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,由位于所述第一孔處的吸附墊固定所述基板,然后通過所述多個(gè)第二孔真空吸附所述基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述傳送單元包括設(shè)置為彼此分離的兩個(gè)傳送構(gòu)件,所述基板插入所述兩個(gè)傳送構(gòu)件之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在朝向所述基板噴射氣體使得所述基板在遠(yuǎn)離所述氣體供應(yīng)器的所述方向上凸出地彎曲的過程中,所述兩個(gè)傳送構(gòu)件在彼此接近的方向上移動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在將所述基板置于所述室中的所述主臺(tái)上的過程中,所述兩個(gè)傳送構(gòu)件在彼此遠(yuǎn)離的方向上移動(dòng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在由所述傳送單元將所述基板傳送到所述室中的過程中,通過在所述傳送構(gòu)件中限定的至少一個(gè)孔將所述基板真空吸附到所述傳送構(gòu)件。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中:
所述傳送單元還包括連接到所述兩個(gè)傳送構(gòu)件的支撐框架;并且
所述兩個(gè)傳送構(gòu)件中的每個(gè)具有與所述支撐框架相對(duì)的傾斜表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述方法還包括在從所述基板剝離所述離型膜之后以及在所述傳送單元從所述梭臺(tái)抬起所述基板之前對(duì)所述基板執(zhí)行等離子體工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述方法還包括在從所述基板剝離所述離型膜之前清洗所述離型膜所附著到的所述基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





