[發(fā)明專利]天線制備方法及具有其的天線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910314774.4 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110034388A | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮雪;艾駿;陳穎 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江清華柔性電子技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | H01Q1/36 | 分類號： | H01Q1/36;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 天線 石墨烯 激光直寫 金屬基 基底 絕緣基底表面 制備氧化石墨 石墨烯薄膜 高柔韌性 激光切割 節(jié)約資源 目標天線 目標圖形 平面結(jié)構(gòu) 曲面結(jié)構(gòu) 天線天線 預(yù)設(shè)圖形 真空環(huán)境 再使用 絕緣 薄膜 還原 透明 生長 | ||
1.天線制備方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：
在絕緣基底表面制備氧化石墨烯薄膜；
對所述石墨烯薄膜遠離所述絕緣基底的一側(cè)進行激光直寫以還原得到目標天線。
2.如權(quán)利要求1所述的天線制備方法，其特征在于：在絕緣基底表面制備氧化石墨烯薄膜之前還包括清洗所述絕緣基底。
3.如權(quán)利要求1或2所述的天線制備方法，其特征在于：所述在絕緣基底表面制備氧化石墨烯薄膜的步驟包括在所述絕緣基底表面涂布氧化石墨烯溶液。
4.如權(quán)利要求3所述的天線制備方法，其特征在于：還包括烘干所述氧化石墨烯溶液。
5.如權(quán)利要求4所述的天線制備方法，其特征在于：所述烘干的溫度為90～150℃。
6.如權(quán)利要求4所述的天線制備方法，其特征在于：所述烘干后的氧化石墨烯膜的厚度為2μm～100μm。
7.如權(quán)利要求1所述的天線制備方法，其特征在于：還包括利用極性溶劑清洗除去未被所述激光直寫還原的氧化石墨烯薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的天線制備方法，其特征在于：所述極性溶劑包括去離子水和/或異丙酮。
9.如權(quán)利要求1所述的天線制備方法，其特征在于：所述激光直寫的激光波長為400nm。
10.如權(quán)利要求1所述的天線制備方法，其特征在于：所述激光直寫的掃描速度為100mm/s～3000mm/s。
11.一種天線，所述天線由上述權(quán)1至10任意一項所述的天線制備方法制作而成。
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