[發明專利]掩膜版的結構及形成方法

在審

• 申請號: 201910314411.0
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN109901360A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 周嫻;晁陽;馬星
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: G03F1/54
• 分類號: G03F1/54;G03F1/80
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種掩膜版的結構及其形成方法，結構包括：基板，所述基板包括透光區和非透光區；位于非透光區表面的擋光層；位于擋光層表面的吸附層，所述擋光層和吸附層暴露出所述透光區。所述結構提升了用掩膜版進行曝光的精度。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種掩膜版的結構及其形成方法。

背景技術

光掩膜基板時制作微細光掩膜圖形的理想感光性空白板，通過光刻制板工藝可以獲得所需的掩膜版。

掩膜版的應用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都需要用到掩膜版，如IC(Integrated Circuit，集成電路)、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)、PCB(PrintedCircuit Boards，印刷電路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical System，微機電系統)等。

然而，用現有的掩膜版進行曝光的精度還有待提高。

發明內容

本發明解決的技術問題是一種掩膜版的結構及其形成方法，能夠提高掩膜版進行曝光的精度。

為解決上述技術問題，本發明提供一種掩膜版，包括：基板，所述基板包括透光區和非透光區；位于非透光區表面的擋光層；位于擋光層表面的吸附層，所述擋光層和吸附層暴露出所述透光區。

可選的，所述吸附層的材料包括多孔材料，所述多孔材料包括多孔碳材料。

可選的，所述多孔碳材料包括石墨烯或碳納米管。

可選的，所述基板的材料包括石英玻璃或蘇打玻璃。

可選的，所述基板的透光率大于或等于85％。

可選的，所述擋光層的材料包括金屬或金屬的化合物；所述金屬或金屬的化合物包括鉻、硅化鉬、鉻的氮氧化物或硅化鉬的氮氧化物中的一種或多種。

可選的，所述吸附層在基板表面具有第一投影，所述擋光層在基板表面具有第二投影，所述第一投影與所述第二投影重合。

可選的，所述吸附層在基板表面具有第一投影，所述擋光層在基板表面具有第二投影，所述第一投影在所述第二投影的范圍內，且所述第一投影的面積與第二投影的面積比為1/3～1/2。

可選的，所述吸附層的厚度范圍為20nm～80nm。

相應的，本發明還提供一種形成上述任一掩膜版的方法，包括：提供基板，所述基板包括透光區和非透光區；在所述非透光區表面形成擋光層和位于擋光層上的吸附層，所述擋光層和吸附層暴露出所述透光區。

可選的，所述擋光層和吸附層的形成方法包括：所述擋光層和吸附層的形成方法包括：在所述基板表面形成擋光膜；在所述擋光膜表面形成吸附膜；在所述吸附膜表面形成第一圖形化層，所述第一圖形化層暴露出部分吸附膜表面；以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述吸附膜直至暴露出所述擋光膜表面，在擋光膜表面形成所述吸附層；以所述第一圖形化層和吸附層為掩膜，刻蝕所述擋光膜直至暴露出基板表面，在基板非透光區表面形成所述擋光層和位于擋光層表面的吸附層。

可選的，形成所述吸附膜的工藝包括：沉積工藝或旋涂工藝；刻蝕所述吸附膜和擋光膜的工藝包括各向異性干法刻蝕工藝；形成所述擋光膜的工藝包括：沉積工藝。