[發明專利]掩膜版的結構及形成方法

在審

• 申請號: 201910314411.0
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN109901360A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 周嫻;晁陽;馬星
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: G03F1/54
• 分類號: G03F1/54;G03F1/80
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括透光區和非透光區；

位于非透光區表面的擋光層；

位于擋光層表面的吸附層，所述擋光層和吸附層暴露出所述透光區。

2.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附層的材料包括多孔材料，所述多孔材料包括多孔碳材料。

3.如權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述多孔碳材料包括石墨烯或碳納米管。

4.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述基板的材料包括石英玻璃或蘇打玻璃。

5.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述基板的透光率大于或等于85％。

6.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述擋光層的材料包括金屬或金屬的化合物；所述金屬或金屬的化合物包括鉻、硅化鉬、鉻的氮氧化物或硅化鉬的氮氧化物中的一種或多種。

7.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附層在基板表面具有第一投影，所述擋光層在基板表面具有第二投影，所述第一投影與所述第二投影重合。

8.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附層在基板表面具有第一投影，所述擋光層在基板表面具有第二投影，所述第一投影在所述第二投影的范圍內，且所述第一投影的面積與第二投影的面積比為1/3～1/2。

9.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述吸附層的厚度為20nm～80nm。

10.一種形成權利要求1至9任一項掩膜版的方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括透光區和非透光區；

在所述非透光區表面形成擋光層和位于擋光層上的吸附層，所述擋光層和吸附層暴露出所述透光區。

11.如權利要求10所述的掩膜版形成方法，其特征在于，所述擋光層和吸附層的形成方法包括：在所述基板表面形成擋光膜；在所述擋光膜表面形成吸附膜；在所述吸附膜表面形成第一圖形化層，所述第一圖形化層暴露出部分吸附膜表面；以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述吸附膜直至暴露出所述擋光膜表面，在擋光膜表面形成所述吸附層；以所述第一圖形化層和吸附層為掩膜，刻蝕所述擋光膜直至暴露出基板表面，在基板非透光區表面形成所述擋光層和位于擋光層表面的吸附層。

12.如權利要求11所述的掩膜版形成方法，其特征在于，形成所述吸附膜的工藝包括：沉積工藝或旋涂工藝；刻蝕所述吸附膜和擋光膜的工藝包括各向異性干法刻蝕工藝；形成所述擋光膜的工藝包括：沉積工藝。

13.如權利要求10所述的掩膜版形成方法，其特征在于，所述擋光層和吸附層的形成方法包括：在所述基板表面形成擋光膜；在所述擋光膜表面形成吸附膜；在所述吸附膜表面形成第一圖形化層，所述第一圖形化層暴露出部分吸附膜表面；以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述吸附膜直至暴露出所述擋光膜表面，在擋光膜表面形成初始吸附層；以所述第一圖形化層和初始吸附層為掩膜，刻蝕所述擋光膜直至暴露出基板表面，在基板非透光區表面形成所述擋光層和位于擋光層表面的初始吸附層；在所述基板表面、擋光層的側壁、以及初始吸附層的側壁和表面形成第二圖形化層，所述第二圖形化層暴露出部分初始吸附層的表面；以所述第二圖形化層為掩膜，刻蝕所述初始吸附層，直至暴露出部分擋光層表面，在所述擋光層表面形成所述吸附層。

14.如權利要求13所述的掩膜版形成方法，其特征在于，刻蝕所述初始吸附層的工藝包括各向異性干法刻蝕工藝。