[發(fā)明專利]包括電阻器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910312015.4
• 申請(qǐng)日: 2019-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN110828427A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李太熙;甘喜星;金敬勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜

提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括襯底，所述襯底包括電阻器區(qū)域、位于電阻器區(qū)域中的多個(gè)下圖案以及位于多個(gè)下圖案上且位于電阻器區(qū)域中的襯底上的電阻器線圖案。多個(gè)下圖案在與襯底的表面平行的第一方向上延伸，并且在與第一方向垂直且與襯底的表面平行的第二方向上彼此間隔開。電阻器線圖案在第二方向上延伸。位于下圖案上的電阻器線圖案具有在與襯底的表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2018年8月8日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2018-0092292的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部公開內(nèi)容并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及包括電阻器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件包括主單元區(qū)域和用于驅(qū)動(dòng)主單元的外圍區(qū)域。在外圍區(qū)域中，諸如晶體管、電阻器結(jié)構(gòu)、電容器和/或電感器之類的各種器件被設(shè)置為形成外圍電路。然而，為了獲得外圍電路中包括的電阻器結(jié)構(gòu)的期望電阻，電阻器結(jié)構(gòu)會(huì)占據(jù)相對(duì)大的面積。將大面積用于電阻器結(jié)構(gòu)會(huì)增加半導(dǎo)體器件的成本，限制器件可與其他組件集成的程度，或者增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括襯底，所述襯底包括電阻器區(qū)域、位于所述電阻器區(qū)域中的多個(gè)下圖案以及位于所述多個(gè)下圖案上且位于所述電阻器區(qū)域中的所述襯底上的電阻器線圖案。所述多個(gè)下圖案可以在與所述襯底的表面平行的第一方向上延伸，并且可以布置為在與所述第一方向垂直且與所述襯底的表面平行的第二方向上彼此間隔開。所述電阻器線圖案可以在所述第二方向上延伸。位于所述下圖案上的所述電阻器線圖案可以具有在與所述襯底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括單元區(qū)域和電阻器區(qū)域；多個(gè)下圖案，所述多個(gè)下圖案位于所述電阻器區(qū)域中；電阻器線圖案，所述電阻器線圖案位于所述多個(gè)下圖案上并且位于所述電阻器區(qū)域中的所述襯底上；以及單元圖案，所述單元圖案位于所述單元區(qū)域中。所述多個(gè)下圖案可以在與所述襯底的表面平行的第一方向上延伸，并且可以布置為在與所述第一方向垂直且與所述襯底的所述表面平行的第二方向上彼此間隔開。所述電阻器線圖案可以沿所述第二方向延伸。位于所述下圖案上的所述電阻器線圖案可以具有在與所述襯底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。所述單元圖案可以包括與所述多個(gè)下圖案中的每個(gè)下圖案相同的材料和相同的堆疊結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括單元區(qū)域、晶體管區(qū)域和電阻器區(qū)域；多個(gè)下圖案，所述多個(gè)下圖案位于所述電阻器區(qū)域中；電阻器線圖案，所述電阻器線圖案位于所述多個(gè)下圖案上以及位于所述電阻器區(qū)域中的所述襯底上；單元圖案，所述單元圖案位于所述單元區(qū)域中；以及柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述晶體管區(qū)域中。所述多個(gè)下圖案可以在與所述襯底的表面平行的第一方向上延伸，并且可以布置為在與所述第一方向垂直且與所述襯底的所述表面平行的第二方向上彼此間隔開。所述電阻器線圖案可以沿所述第二方向延伸。位于所述下圖案上的所述電阻器線圖案可以具有在與所述襯底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面。所述單元圖案可以與所述多個(gè)下圖案中的每個(gè)下圖案包括相同的材料和相同的結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電阻器結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2、圖3和圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電阻器結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。

圖5至圖12是示出根據(jù)示例實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的電阻器結(jié)構(gòu)的方法的橫截面視圖。

圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電阻器結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。

圖14是示出根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電阻器結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。