[發明專利]包括電阻器結構的半導體器件

在審

• 申請號: 201910312015.4
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN110828427A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 李太熙;甘喜星;金敬勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底，所述襯底包括電阻器區域；

多個下圖案，所述多個下圖案在所述電阻器區域中，其中，所述多個下圖案在與所述襯底的表面平行的第一方向上延伸，并且在與所述第一方向垂直且與所述襯底的所述表面平行的第二方向上彼此間隔開；以及

電阻器線圖案，所述電阻器線圖案位于所述多個下圖案上且位于所述電阻器區域中的所述襯底上，其中，所述電阻器線圖案在所述第二方向上延伸，并且位于所述下圖案上的所述電阻器線圖案在與所述襯底的所述表面垂直的第三方向上具有升高部分，以形成波浪形狀。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電阻器區域包括位于所述襯底中的隔離圖案或位于所述襯底上的層間絕緣層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個下圖案包括絕緣材料。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個下圖案中的每個下圖案具有平坦的上表面和在所述第二方向上傾斜的側壁。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電阻器線圖案包括多個電阻器線圖案，

其中，所述多個電阻器線圖案在所述第一方向上彼此間隔開。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述多個電阻器線圖案中的相鄰的電阻器線圖案的端部合并成合并部分，所述合并部分在所述第一方向上具有增加的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電阻器線圖案包括第一部分、第三部分以及連接所述第一部分和所述第三部分的第二部分，參照所述襯底的所述表面，所述第一部分的上表面和下表面具有高的高度，參照所述襯底的所述表面，所述第三部分的上表面和下表面具有低的高度，所述第二部分具有傾斜的上表面和下表面。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：

層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述電阻器線圖案上。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：

接觸插塞，所述接觸插塞穿透所述層間絕緣層以接觸所述電阻器線圖案。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述襯底還包括單元區域，

其中，所述半導體器件還包括位于所述單元區域中的單元圖案，所述單元圖案具有與所述多個下圖案中的每個下圖案相同的堆疊結構和相同的材料。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，取決于在所述電阻器區域中的位置，所述多個下圖案具有相同的形狀或不同的形狀。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個下圖案設置在所述電阻器區域的一部分中。

13.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底，所述襯底包括單元區域和電阻器區域；

多個下圖案，所述多個下圖案位于所述電阻器區域中，其中，所述多個下圖案在與所述襯底的表面平行的第一方向上延伸，并且在與所述第一方向垂直且與所述襯底的所述表面平行的第二方向上彼此間隔開；

電阻器線圖案，所述電阻器線圖案位于所述多個下圖案上并且位于所述電阻器區域中的所述襯底上，其中，所述電阻器線圖案在所述第二方向上延伸，并且位于所述下圖案上的所述電阻器線圖案具有在與所述襯底的所述表面垂直的第三方向上突出的上表面和下表面；以及

單元圖案，所述單元圖案位于所述單元區域中，其中，所述單元圖案包括與所述多個下圖案中的每個下圖案相同的材料和相同的堆疊結構。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述多個下圖案中的每個下圖案具有平坦的上表面和在所述第二方向上傾斜的側壁，并且包括絕緣材料。