[發(fā)明專(zhuān)利]一種有源層接觸孔的刻蝕方法及陣列基板的電路檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910311881.1
• 申請(qǐng)日: 2019-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110176397B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 包征;魏文浩;廖文理;范磊;辛燕霞;李雪萍;胡紅偉;吳奕昊;陳功
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/3065
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/3065;H01L27/12;G01R31/28
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明公開(kāi)了一種有源層接觸孔的刻蝕方法及陣列基板的電路檢測(cè)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)在對(duì)顯示區(qū)的薄膜晶體管進(jìn)行電學(xué)檢測(cè)時(shí)，在接觸孔存在接觸不良的問(wèn)題。所述有源層接觸孔的刻蝕方法，包括：調(diào)整承載待刻蝕器件的基臺(tái)相對(duì)水平面的傾角，以使所述基臺(tái)與用于刻蝕所述待刻蝕器件的離子束的夾角偏離直角時(shí)預(yù)設(shè)角度；刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，以使所述有源層之下的膜層、所述有源層、以及所述有源層之上的膜層在刻蝕位置處的底面組成一坡度面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有源層接觸孔的刻蝕方法及陣列基板的電路檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

平面顯示器(F1at Pane1 Disp1ay，F(xiàn)PD)己成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，平面顯示器的種類(lèi)也越來(lái)越多，如液晶顯示器(Liquid Crysta1 Disp1ay，LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitted Diode，OLED)顯示器、等離子體顯示面板(P1asma Disp1ayPane1，PDP)及場(chǎng)發(fā)射顯示器(Field Emission Display，F(xiàn)ED)等。

很多不良問(wèn)題都出現(xiàn)在顯示屏的顯示區(qū)(AA區(qū))，TFT像素驅(qū)動(dòng)電路是顯示屏的重要組成部分，因顯示屏是由多層薄膜堆疊而成，像素驅(qū)動(dòng)電路被膜層覆蓋，AA區(qū)TFT的電學(xué)特性無(wú)法直接測(cè)量，需要對(duì)AA區(qū)的TFT進(jìn)行線路修補(bǔ)。但現(xiàn)有技術(shù)在對(duì)顯示區(qū)的薄膜晶體管進(jìn)行電學(xué)檢測(cè)時(shí)，在接觸孔存在接觸不良的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種有源層接觸孔的刻蝕方法及陣列基板的電路檢測(cè)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)在對(duì)顯示區(qū)的薄膜晶體管進(jìn)行電學(xué)檢測(cè)時(shí)，在接觸孔存在接觸不良的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有源層接觸孔的刻蝕方法，包括：

調(diào)整承載待刻蝕器件的基臺(tái)相對(duì)水平面的傾角，以使所述基臺(tái)與用于刻蝕所述待刻蝕器件的離子束的夾角偏離直角時(shí)預(yù)設(shè)角度；

刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，以使所述有源層之下的膜層、所述有源層、以及所述有源層之上的膜層在刻蝕位置處的底面組成一坡度面。

在一種可能的實(shí)施方式中，所述刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，包括：

采用聚焦離子束設(shè)備刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，其中，所述離子束由所述聚焦離子束設(shè)備出射。

在一種可能的實(shí)施方式中，所述刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，以使所述有源層下方的膜層、所述有源層、所述有源層上的膜層，在刻蝕位置處的底面組成一坡度面，包括：

采用聚焦離子束設(shè)備刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，并對(duì)當(dāng)前刻蝕膜層的表面形貌進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；

確定表面形貌由粗糙變?yōu)槠秸麜r(shí)，停止刻蝕。

在一種可能的實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)角度為3度～10度。

在一種可能的實(shí)施方式中，所述有源層為多晶硅有源層。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的電路檢測(cè)方法，包括：

取所述陣列基板的部分作為待刻蝕器件；

選取所述待刻蝕器件的一薄膜晶體管，并對(duì)該所述薄膜晶體管的有源層刻蝕第一接觸孔；

對(duì)該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔；

根據(jù)所述第一接觸孔處的有源層、以及所述第二接觸孔處的柵極，檢測(cè)該所述薄膜晶體管的電學(xué)性能；

其中，采用如本發(fā)明實(shí)施例提供的所述刻蝕方法刻蝕形成所述第一接觸孔。

在一種可能的實(shí)施方式中，在對(duì)該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔之前，所述電路檢測(cè)方法還包括：