[發明專利]一種有源層接觸孔的刻蝕方法及陣列基板的電路檢測方法

有效

• 申請號: 201910311881.1
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN110176397B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 包征;魏文浩;廖文理;范磊;辛燕霞;李雪萍;胡紅偉;吳奕昊;陳功
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L27/12;G01R31/28
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種有源層接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，包括：

調整承載待刻蝕器件的基臺相對水平面的傾角，以使所述基臺與用于刻蝕所述待刻蝕器件的離子束的夾角偏離直角時預設角度；

刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，以使所述有源層之下的膜層、所述有源層、以及所述有源層之上的膜層在刻蝕位置處的底面組成一坡度面；

其中，所述刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，以使所述有源層下方的膜層、所述有源層、所述有源層上的膜層，在刻蝕位置處的底面組成一坡度面，包括：

采用聚焦離子束設備刻蝕所述有源層之上的膜層以及所述有源層，并對當前刻蝕膜層的表面形貌進行實時監測，其中，所述離子束由所述聚焦離子束設備出射；

確定表面形貌由粗糙變為平整時，停止刻蝕。

2.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述預設角度為3度～10度。

3.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述有源層為多晶硅有源層。

4.一種陣列基板的電路檢測方法，其特征在于，包括：

取所述陣列基板的部分作為待刻蝕器件；

選取所述待刻蝕器件的一薄膜晶體管，并對該所述薄膜晶體管的有源層刻蝕第一接觸孔；

對該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔；

根據所述第一接觸孔處的有源層、以及所述第二接觸孔處的柵極，檢測該所述薄膜晶體管的電學性能；

其中，采用如權利要求1-3任一項所述的刻蝕方法刻蝕形成所述第一接觸孔。

5.如權利要求4所述的電路檢測方法，其特征在于，在對該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔之前，所述電路檢測方法還包括：

保持所述基臺相對水平面的傾角與刻蝕所述第一接觸孔時的傾角相同，通過所述聚焦離子束設備在所述第一接觸孔填充導電膜層；

對填充有所述導電膜層的所述第一接觸孔采用反向補償沉積，以使在所述第一接觸孔所在位置處形成平整的有源層接觸墊。

6.如權利要求4所述的電路檢測方法，其特征在于，在對該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔之前，所述電路檢測方法還包括：

調整所述基臺相對水平面的傾角為垂直角度，通過所述聚焦離子束設備在所述第一接觸孔填充導電膜層，以使在所述第一接觸孔所在位置處形成平整的有源層接觸墊。

7.如權利要求5或6所述的電路檢測方法，其特征在于，所述對該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔，包括：

采用離子束垂直刻蝕，對該所述薄膜晶體管的柵極刻蝕第二接觸孔。

8.如權利要求7所述的電路檢測方法，其特征在于，在檢測該所述薄膜晶體管的電學性能之前，所述電路檢測方法還包括：

在所述第二接觸孔沉積導電膜層，形成柵極接觸墊。

9.如權利要求8所述的電路檢測方法，其特征在于，所述根據所述第一接觸孔處的有源層、以及所述第二接觸孔處的柵極，檢測該所述薄膜晶體管的電學性能，包括：

將三個探針分別與所述有源層接觸墊、所述柵極接觸墊、陽極孔接觸；

對所述探針加載信號，并根據所述探針輸出的信號，對當前薄膜晶體管的電學性能進行檢測。

10.如權利要求4所述的電路檢測方法，其特征在于，在檢測該所述薄膜晶體管的電學性能之前，所述電路檢測方法還包括：

將包括所述第一接觸孔、所述第二接觸孔的該薄膜晶體管與其它薄膜晶體管進行阻斷。

11.如權利要求4所述的電路檢測方法，其特征在于，在對該所述薄膜晶體管的有源層刻蝕第一接觸孔之前，所述電路檢測方法還包括：

將所述待刻蝕器件置于預設溶液浸泡預設時長，以去除所述待刻蝕器件表面的輔助層。