[發明專利]遮蔽構件和單晶生長裝置

有效

• 申請號: 201910311630.3
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN110424051B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 保坂祥輝;藤川陽平
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

本發明的遮蔽構件被配置于單晶生長裝置中，所述單晶生長裝置具備晶體生長用容器和加熱部，所述晶體生長用容器具備位于內底部的原料收納部、以及與所述原料收納部相對的晶體設置部，所述加熱部對所述晶體生長用容器進行加熱，所述單晶生長裝置使原料從所述原料收納部升華并在設置于所述晶體設置部的晶體上生長所述原料的單晶，所述遮蔽構件配置于所述原料收納部與所述晶體設置部之間，所述遮蔽構件具備多個遮蔽板，在從所述晶體設置部俯視時，所述多個遮蔽板沒有間隙地排列。

技術領域

本發明涉及遮蔽構件和單晶生長裝置。

本申請基于2018年5月1日在日本提出申請的專利申請2018-088247號主張優先權，將其內容引用于此。

背景技術

碳化硅(SiC)與硅(Si)相比絕緣擊穿電場大1位、且帶隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)具有與硅(Si)相比熱傳導率高3倍左右等特性。期待碳化硅(SiC)對于功率器件、高頻器件、高溫工作器件等的應用。

半導體等器件使用在SiC晶片上形成了外延膜的SiC外延晶片。采用化學氣相生長法(Chemical Vapor Deposition：CVD)設置在SiC晶片上的外延膜成為SiC半導體器件的活性區域。SiC晶片是對SiC錠加工得到的。

SiC錠是通過采用升華再結晶法等方法對籽晶進行晶體生長而得到的。升華法中如果在原料與生長面之間產生溫度差，則從原料升華出的原料氣體向生長面高效地供給，促進晶體生長。但是，生長面與原料相對，從而受到來自原料的輻射。因此，在原料與生長面之間難以產生溫度差。

專利文獻1中記載了在原料與生長面之間設置遮蔽構件。通過遮蔽構件來抑制從原料向生長面的輻射，在原料與生長面之間產生溫度差。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開2000-264795號公報

發明內容

近年，大型(6英寸以上)的SiC晶片的需求不斷提高。例如，如果使用專利文獻1記載的遮蔽構件制作大型SiC錠，則需要使用直徑大的遮蔽構件。但是，直徑大的遮蔽構件會阻礙原料氣體的流動。如果原料氣體難以向生長面的中央部供給，則會阻礙均質的晶體生長。

本發明是鑒于上述問題完成的，其目的在于提供一種遮蔽構件和具備該遮蔽構件的單晶生長裝置，能夠抑制原料氣體流動被阻礙的情況，產生原料面與生長面的溫度差。

發現通過將多個遮蔽板在俯視時沒有間隔地配置，能夠在各自的遮蔽板之間的間隙確保原料氣體流路，同時有效地抑制來自原料面的輻射。

即，本發明為了解決上述課題，提供以下手段。

(1)第1方案的遮蔽構件，配置于單晶生長裝置中，所述單晶生長裝置具備晶體生長用容器和加熱部，所述晶體生長用容器具備位于內底部的原料收納部、以及與所述原料收納部相對的晶體設置部，所述加熱部對所述晶體生長用容器進行加熱，所述單晶生長裝置使原料從所述原料收納部升華并在設置于所述晶體設置部的晶體上生長所述原料的單晶，所述遮蔽構件配置于所述原料收納部與所述晶體設置部之間，所述遮蔽構件具備多個遮蔽板，在從所述晶體設置部俯視時，所述多個遮蔽板沒有間隙地排列。

第1方案的遮蔽構件優選包含以下特征。也優選組合以下所示特征的1個以上。

(2)上述方案的遮蔽構件可以具備連接部和支持部，所述連接部連接所述多個遮蔽板，所述支持部支持所述連接部。

(3)上述方案的遮蔽構件中，所述連接部可以位于俯視中央。

(4)上述方案的遮蔽構件中，可以是：所述多個遮蔽板之中相鄰遮蔽板的相鄰面相對于從所述晶體設置部下垂到所述原料收納部的垂線方向傾斜，位于所述相鄰遮蔽板之間的間隙相對于所述垂線方向傾斜。