[發明專利]遮蔽構件和單晶生長裝置有效
| 申請號： | 201910311630.3 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110424051B | 公開（公告）日： | 2021-08-13 |
| 發明（設計）人： | 保坂祥輝;藤川陽平 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 王瀟悅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 遮蔽 構件 生長 裝置 | ||
1.一種遮蔽構件，配置于單晶生長裝置中，所述單晶生長裝置具備晶體生長用容器和加熱部，
所述晶體生長用容器具備位于內底部的原料收納部、以及與所述原料收納部相對的晶體設置部，
所述加熱部對所述晶體生長用容器進行加熱，
所述單晶生長裝置使原料從所述原料收納部升華并在設置于所述晶體設置部的晶體上生長所述原料的單晶，
所述遮蔽構件配置于所述原料收納部與所述晶體設置部之間，其特征在于，
所述遮蔽構件具備多個遮蔽板，
在從所述晶體設置部俯視時，所述多個遮蔽板沒有間隙地排列。
2.根據權利要求1所述的遮蔽構件，
具備連接部和支持部，
所述連接部連接所述多個遮蔽板，所述支持部支持所述連接部。
3.根據權利要求2所述的遮蔽構件，
所述連接部位于俯視中央。
4.根據權利要求1所述的遮蔽構件，
所述多個遮蔽板之中相鄰遮蔽板的相鄰面相對于從所述晶體設置部下垂到所述原料收納部的垂線方向傾斜，
位于所述相鄰遮蔽板之間的間隙相對于所述垂線方向傾斜。
5.根據權利要求1所述的遮蔽構件，
所述多個遮蔽板之中相鄰遮蔽板的相鄰面彎折或彎曲，
位于所述相鄰遮蔽板之間的間隙彎折或彎曲。
6.根據權利要求1所述的遮蔽構件，
所述多個遮蔽板的所述晶體設置部側的面位于同一平面。
7.一種單晶生長裝置，具備權利要求1所述的遮蔽構件。
8.根據權利要求7所述的單晶生長裝置，
具備晶體生長用容器和加熱部，
所述晶體生長用容器具備位于內底部的原料收納部、以及與所述原料收納部相對的晶體設置部，
所述加熱部對所述晶體生長用容器進行加熱，
所述單晶生長裝置使原料從所述原料收納部升華并在設置于所述晶體設置部的晶體上生長所述原料的單晶。
9.根據權利要求7所述的單晶生長裝置，
具備連接部和支持部，
所述連接部連接所述多個遮蔽板，所述支持部支持所述連接部。
10.根據權利要求9所述的單晶生長裝置，
所述連接部位于俯視中央。
11.根據權利要求7所述的單晶生長裝置，
所述多個遮蔽板之中相鄰遮蔽板的相鄰面相對于從所述晶體設置部下垂到所述原料收納部的垂線方向傾斜，
位于所述相鄰遮蔽板之間的間隙相對于所述垂線方向傾斜。
12.根據權利要求7所述的單晶生長裝置，
所述多個遮蔽板之中相鄰遮蔽板的相鄰面彎折或彎曲，
位于所述相鄰遮蔽板之間的間隙彎折或彎曲。
13.根據權利要求7所述的單晶生長裝置，
所述多個遮蔽板的所述晶體設置部側的面位于同一平面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昭和電工株式會社，未經昭和電工株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910311630.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種適用于大尺寸單晶提拉速及散熱的裝置
- 下一篇：坩堝
