[發(fā)明專(zhuān)利]復(fù)合薄膜晶體管和制造方法、陣列基板、顯示面板和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910308964.5
• 申請(qǐng)日: 2019-04-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109950257B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張淼;唐川江;楊通;邵賢杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 張?bào)銓?/td>

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種復(fù)合薄膜晶體管，包括：至少兩個(gè)P型薄膜晶體管、至少一個(gè)第一N型薄膜晶體管和至少一個(gè)第二N型薄膜晶體管。P型薄膜晶體管的有源層為P型摻雜低溫多晶硅，第二N型薄膜晶體管的有源層為金屬氧化物。由于在本發(fā)明實(shí)施例的復(fù)合薄膜晶體管中包括了至少兩個(gè)P型薄膜晶體管、至少一個(gè)第一N型薄膜晶體管和至少一個(gè)第二N型薄膜晶體管及其相應(yīng)的連接關(guān)系，當(dāng)柵極的電壓為正電壓時(shí)，該復(fù)合薄膜晶體管在關(guān)態(tài)下的漏電流極低，此時(shí)等效關(guān)態(tài)電流值極低；當(dāng)柵極電壓為負(fù)電壓時(shí)，該復(fù)合薄膜晶體管處于等效開(kāi)態(tài)的狀態(tài)，使得該復(fù)合薄膜晶體管等價(jià)為一種低漏電流的P型薄膜晶體管。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體為復(fù)合薄膜晶體管和制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，顯示技術(shù)得到快速發(fā)展，薄膜晶體管技術(shù)由原來(lái)的非晶硅薄膜晶體管發(fā)展到現(xiàn)在的低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管等。目前廣泛應(yīng)用的氧化物薄膜晶體管采用氧化物半導(dǎo)體作為有源層，具有遷移率大、開(kāi)態(tài)電流高、開(kāi)關(guān)特性更優(yōu)、均勻性更好的特點(diǎn)，可以適用于需要快速響應(yīng)和較大電流的應(yīng)用，如：高頻、高分辨率、大尺寸的顯示器以及有機(jī)發(fā)光顯示器等。

但是，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對(duì)于氧化物薄膜晶體管而言，優(yōu)點(diǎn)是氧化物薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流極低，缺點(diǎn)是在現(xiàn)有技術(shù)中尚無(wú)成熟的P型氧化物薄膜晶體管的制作工藝。對(duì)于低溫多晶硅薄膜晶體管而言，優(yōu)點(diǎn)是能夠較容易地制作P型低溫多晶硅薄膜晶體管與N型低溫多晶硅薄膜晶體管，缺點(diǎn)是制作的P型低溫多晶硅薄膜晶體管與N型低溫多晶硅薄膜晶體管具有較高的關(guān)態(tài)電流(Ioff約為10pA～100pA)。

因此，需要一種新型薄膜晶體管，使其能夠等價(jià)為一種低關(guān)態(tài)電流的P型薄膜晶體管。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種復(fù)合薄膜晶體管和制造方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法制作出一種具有低關(guān)態(tài)電流的P型薄膜晶體管的技術(shù)問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例主要提供如下技術(shù)方案：

在第一方面中，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種復(fù)合薄膜晶體管，包括：至少兩個(gè)P型薄膜晶體管、至少一個(gè)第一N型薄膜晶體管和至少一個(gè)第二N型薄膜晶體管；

P型薄膜晶體管的有源層為P型摻雜低溫多晶硅，第二N型薄膜晶體管的有源層為金屬氧化物；

兩個(gè)P型薄膜晶體管的柵極和一個(gè)第一N型薄膜晶體管的柵極連接在一起，并與柵極信號(hào)輸入端連接；

其中一P型薄膜晶體管的漏極為復(fù)合薄膜晶體管的漏極，源極與第二N型薄膜晶體管的漏極連接，第二N型薄膜晶體管的源極為復(fù)合薄膜晶體管的源極；

另一P型薄膜晶體管的源極與第一信號(hào)端連接，漏極與第一N型薄膜晶體管的源極連接，第一N型薄膜晶體管的漏極與第二信號(hào)端連接；

第二N型薄膜晶體管的柵極與第一N型薄膜晶體管的源極連接。

可選地，第一信號(hào)端用于輸入高電平信號(hào)，第二信號(hào)端用于輸入低電平信號(hào)。

可選地，所述第一N型薄膜晶體管的有源層為N型摻雜低溫多晶硅，或?yàn)榻饘傺趸铩?/p>

可選地，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物或者氧化鋅。

可選地，當(dāng)所述第一N型薄膜晶體管的有源層為N型摻雜低溫多晶硅時(shí)，P型薄膜晶體管的有源層和所述第一N型薄膜晶體管的有源層位于同一層。

在第二方面中，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板，包括第一方面所述的復(fù)合薄膜晶體管。

在第三方面中，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示面板，包括第二方面所述的陣列基板。

在第四方面中，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示裝置，包括第三方面所述的顯示面板。