[發(fā)明專利]復(fù)合薄膜晶體管和制造方法、陣列基板、顯示面板和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910308964.5
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN109950257B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張淼;唐川江;楊通;邵賢杰
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 張?bào)銓?/td>

1.一種復(fù)合薄膜晶體管，其特征在于，包括：兩個P型薄膜晶體管、一個第一N型薄膜晶體管和一個第二N型薄膜晶體管；

P型薄膜晶體管的有源層為P型摻雜低溫多晶硅，第二N型薄膜晶體管的有源層為金屬氧化物；

兩個P型薄膜晶體管的柵極和一個第一N型薄膜晶體管的柵極連接在一起，并與柵極信號輸入端連接；

其中一P型薄膜晶體管的漏極為復(fù)合薄膜晶體管的漏極，源極與第二N型薄膜晶體管的漏極連接，第二N型薄膜晶體管的源極為復(fù)合薄膜晶體管的源極；

另一P型薄膜晶體管的源極與第一信號端連接，漏極與第一N型薄膜晶體管的源極連接，第一N型薄膜晶體管的漏極與第二信號端連接；

第二N型薄膜晶體管的柵極與第一N型薄膜晶體管的源極連接。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜晶體管，其特征在于，第一信號端用于輸入高電平信號，第二信號端用于輸入低電平信號。

3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜晶體管，其特征在于，所述第一N型薄膜晶體管的有源層為N型摻雜低溫多晶硅，或?yàn)榻饘傺趸铩?/p>

4.如權(quán)利要求1或3所述的復(fù)合薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物或者氧化鋅。

5.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合薄膜晶體管，其特征在于，當(dāng)所述第一N型薄膜晶體管的有源層為N型摻雜低溫多晶硅時，P型薄膜晶體管的有源層和所述第一N型薄膜晶體管的有源層位于同一層。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜晶體管。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求6所述的陣列基板。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的顯示面板。

9.一種如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的復(fù)合薄膜晶體管的制造方法，包括有源層、柵極、源極和漏極的制作，其特征在于，有源層的制作包括：

提供一襯底基板，通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作低溫多晶硅有源層；

對所述低溫多晶硅有源層進(jìn)行摻雜；

在進(jìn)行摻雜后，在所述襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作金屬氧化物有源層。

10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，對所述低溫多晶硅有源層進(jìn)行摻雜，包括：

對所述低溫多晶硅有源層進(jìn)行P型摻雜，形成P型摻雜低溫多晶硅有源層；

或，對部分所述低溫多晶硅有源層進(jìn)行P型摻雜，形成P型摻雜低溫多晶硅有源層，對其余部分有源層進(jìn)行N型摻雜，形成N型摻雜低溫多晶硅有源層。

11.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作低溫多晶硅有源層，包括：

在襯底基板上依次制作緩沖層和非晶硅層，并對非晶硅層進(jìn)行晶化處理，形成低溫多晶硅層；

通過構(gòu)圖工藝對低溫多晶硅層進(jìn)行圖案化，形成低溫多晶硅有源層。

12.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，具體包括：

在襯底基板上制作有源層，并在所述有源層上通過構(gòu)圖工藝依次制作柵極絕緣層和柵極；

在制作有所述柵極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝，依次制作中間絕緣層、源極和漏極。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，制作所述源極和所述漏極后，還包括：

在制作有所述源極和所述漏極的襯底基板上沉積絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層。