[發明專利]半導體基板結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201910307679.1
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110112154B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 盧馬才;劉念
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本揭示提供了半導體基板結構及其制作方法。所述半導體基板結構包括基板、金屬氧化物薄膜晶體管以及隧穿二極管。所述金屬氧化物薄膜晶體管設置在所述基板上。所述隧穿二極管設置在所述基板上和所述金屬氧化物薄膜晶體管旁。本揭示的半導體基板結構具有光學偵測性能。

【技術領域】

本揭示涉及顯示技術領域，特別涉及一種半導體基板結構及其制作方法。

【背景技術】

現有顯示器(例如手機和電視)的半導體基板結構不具有感應器。感應器獨立設置在所述半導體基板結構以外的位置，因而無法在所述半導體基板結構上定點感應，因此造成手機指紋識別及/或環境光監測和電視的遙控的性能不佳。

故，有需要提供一種半導體基板結構及其制作方法，以解決現有技術存在的問題。

【發明內容】

為解決上述技術問題，本揭示的一目的在于提供半導體基板結構及其制作方法，所述半導體基板結構具有光學偵測性能。

為達成上述目的，本揭示提供一半導體基板結構。所述半導體基板結構包括基板、金屬氧化物薄膜晶體管以及隧穿二極管。所述金屬氧化物薄膜晶體管設置在所述基板上。所述隧穿二極管設置在所述基板上和所述金屬氧化物薄膜晶體管旁。

于本揭示其中的一實施例中，所述金屬氧化物薄膜晶體管的柵極和所述隧穿二極管的陽極設置在所述基板上的相同層上。

于本揭示其中的一實施例中，所述金屬氧化物薄膜晶體管的柵極和所述隧穿二極管的陽極的材料相同，且所述金屬氧化物薄膜晶體管的所述柵極和所述隧穿二極管的所述陽極均為鉬/銅疊層或鉬/鋁疊層。

于本揭示其中的一實施例中，所述的半導體基板結構還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置在所述基板、所述金屬氧化物薄膜晶體管的所述柵極和所述隧穿二極管的所述陽極上。

于本揭示其中的一實施例中，所述柵極絕緣層為SiOx層、SiOx/SiNx疊層、SiNx/SiOx疊層、SiOx、SiNx與SiNO相互疊層、SiOx、SiNx與Al2O3疊層或AlN層。

于本揭示其中的一實施例中，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括層迭的有源層溝道、第一阻擋層和源漏電極，所述隧穿二極管還包括層迭的半導體層、第二阻擋層和陰極，所述柵極絕緣層包括開口，所述隧穿二極管的所述半導體層和所述第二阻擋層設置于所述柵極絕緣層的所述開口內。

于本揭示其中的一實施例中，所述半導體基板結構還包括層迭的鈍化層和像素電極層，所述鈍化層設置于所述源漏電極和所述陰極上，所述鈍化層包括開孔，所述像素電極層通過所述鈍化層的所述開孔接觸所述源漏電極。

本揭示還提供一半導體基板結構的制作方法。所述半導體基板結構的制作方法包括提供基板，在所述基板上形成金屬氧化物薄膜晶體管，以及在所述基板上和所述金屬氧化物薄膜晶體管旁形成隧穿二極管。

于本揭示其中的一實施例中，在所述基板上的相同層上形成所述金屬氧化物薄膜晶體管的柵極和所述隧穿二極管的陽極。

于本揭示其中的一實施例中，在所述基板、所述金屬氧化物薄膜晶體管的所述柵極和所述隧穿二極管的所述陽極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成層迭的所述金屬氧化物薄膜晶體管的有源層溝道、第一阻擋層和源漏電極，在所述柵極絕緣層上形成層迭的所述隧穿二極管的半導體層、第二阻擋層和陰極，所述柵極絕緣層包括開口，所述隧穿二極管的所述半導體層和所述第二阻擋層設置于所述柵極絕緣層的所述開口內。

由于本揭示的實施例中的半導體基板結構及其制作方法中，所述半導體基板結構包括基板、金屬氧化物薄膜晶體管以及隧穿二極管。所述金屬氧化物薄膜晶體管設置在所述基板上。所述隧穿二極管設置在所述基板上和所述金屬氧化物薄膜晶體管旁，因此所述半導體基板結構具有光學偵測性能。

為讓本揭示的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：