[發明專利]解鍵合裝置及其穿刺機構有效
| 申請號: | 201910307443.8 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN110034050B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 童燦釗;李遷;巫禮杰;劉盛;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何鋒;何平 |
| 地址: | 518051 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 解鍵合 裝置 及其 穿刺 機構 | ||
本發明涉及一種解鍵合裝置及其穿刺機構,該穿刺機構包括基座、滑座、刀片及彈性件,滑座滑動連接于基座;刀片與滑座相連接;彈性件與滑座彈性相抵,以通過滑座向刀片提供預壓力,預壓力大于或等于刺破力;其中,刺破力為刀片穿刺鍵合物以進入硅片與載片之間時所需的力。本發明的解鍵合裝置及其穿刺機構,利用彈性件預壓刀片來穿刺硅片與載片之間的鍵合物,以破除硅片與載片之間可能存在的真空吸附,以避免硅片與載片分離時硅片或載片受損。
技術領域
本發明屬于半導體加工技術領域,尤其涉及能夠解除硅片與載片之間的解鍵合裝置及其穿刺機構。
背景技術
近年來,隨著半導體器件不斷響應“更快、更便宜、更小”的需求,為滿足制造需求,減薄硅片已是大勢所趨,但超薄器件硅片具有柔性和易碎性,容易翹曲和起伏,因此需要一種支撐系統來使加工順利進行。在此背景下,臨時鍵合/解鍵合技術應運而生。將待加工的晶元與承載晶元的載片通過鍵合膠進行鍵合,鍵合后對待加工晶元進行加工處理,由于有載片的補強,待加工晶元不容易產生翹曲和起伏。待加工晶元加工完成后,需要將晶元與載片進行剝離。
目前,在利用激光解鍵合技術將硅片與玻璃載體進行分離時,容易因解鍵合不徹底而影響硅片與玻璃載體的分離效果,以至于分離過程中硅片或載玻片出現扯裂,導致載片不可重復利用,利用率降低,制作成本較高,也可能直接損壞硅片,導致工件報廢。
發明內容
基于此,有必要提供一種能夠避免解鍵合分離時硅片或載片易受損傷的穿刺機構以及包括該穿刺機構的解鍵合裝置。
本申請提供一種穿刺機構,用于穿刺所述硅片與載片之間的鍵合物,包括:
基座;
滑座,所述滑座滑動連接于所述基座;
刀片,所述刀片與所述滑座相連接;及
彈性件,所述彈性件與所述滑座彈性相抵,以通過所述滑座向所述刀片提供預壓力,所述預壓力大于或等于刺破力;
其中,所述刺破力為所述刀片穿刺所述鍵合物以進入所述硅片與所述載片之間時所需的力。
在其中一個實施方式中,所述穿刺機構包括位移傳感器和警報器,所述位移傳感器與所述警報器電連接,所述位移傳感器用于檢測所述滑座與所述基座之間的相對位移量,當所述位移傳感器所檢測到的相對位移量超出預設位移量時,所述警報器發出警報。
在其中一個實施方式中,所述穿刺機構包括壓力傳感器和警報器,所述壓力傳感器與所述警報器電連接,所述壓力傳感器用于檢測所述彈性件的彈力,當所述壓力傳感器所檢測到的彈力超過預設壓力值時,所述警報器發出警報。
在其中一個實施方式中,所述彈性件包括壓縮彈簧,所述滑座與所述壓力傳感器之間設有導桿,所述壓縮彈簧套設于所述導桿,且所述壓縮彈簧將所述導桿彈性抵壓于所述壓力傳感器。
在其中一個實施方式中,所述滑座上開設有導向孔,所述導向孔的延伸方向與所述滑座相對所述基座的滑動方向相同;所述導桿可滑動伸縮地插設于所述導向孔。
在其中一個實施方式中,所述穿刺機構包括吹氣組件,所述吹氣組件用于朝所述刀片穿刺所述鍵合物所形成的穿刺孔吹氣,以使得氣體由所述穿刺孔進入所述硅片與所述載片之間。
在其中一個實施方式中,所述吹氣組件包括若干吹氣塊,所述吹氣塊與所述滑座相連接,且所述刀片固定于所述吹氣塊。
在其中一個實施方式中,所述刀片的刺入端厚度為0.09mm至0.11mm。
另一方面,本申請提供一種解鍵合裝置,包括上述的穿刺機構。
在其中一個實施方式中,所述解鍵合裝置包括:
影像識別模塊,所述影像識別模塊用于識別所述刀片的刺入端相對所述滑座的偏移量;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





