[發明專利]解鍵合裝置及其穿刺機構有效
| 申請號: | 201910307443.8 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN110034050B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 童燦釗;李遷;巫禮杰;劉盛;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何鋒;何平 |
| 地址: | 518051 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 解鍵合 裝置 及其 穿刺 機構 | ||
1.一種穿刺機構,用于穿刺硅片與載片之間的鍵合物,其特征在于,包括:
基座;
滑座,所述滑座滑動連接于所述基座;
刀片,所述刀片與所述滑座相連接;及
彈性件,所述彈性件與所述滑座彈性相抵,以通過所述滑座向所述刀片提供預壓力,所述預壓力大于或等于刺破力,所述刀片用于在所述預壓力下對所述鍵合物進行穿刺,以釋放所述硅片和所述載片之間的真空;
其中,所述刺破力為所述刀片穿刺所述鍵合物以進入所述硅片與所述載片之間時所需的力。
2.根據權利要求1所述的穿刺機構,其特征在于,所述穿刺機構包括位移傳感器和警報器,所述位移傳感器與所述警報器電連接,所述位移傳感器用于檢測所述滑座與所述基座之間的相對位移量,當所述位移傳感器所檢測到的相對位移量超出預設位移量時,所述警報器發出警報。
3.根據權利要求1所述的穿刺機構,其特征在于,所述穿刺機構包括壓力傳感器和警報器,所述壓力傳感器與所述警報器電連接,所述壓力傳感器用于檢測所述彈性件的彈力,當所述壓力傳感器所檢測到的彈力超過預設壓力值時,所述警報器發出警報。
4.根據權利要求3所述的穿刺機構,其特征在于,所述彈性件包括壓縮彈簧,所述滑座與所述壓力傳感器之間設有導桿,所述壓縮彈簧套設于所述導桿,且所述壓縮彈簧將所述導桿彈性抵壓于所述壓力傳感器。
5.根據權利要求4所述的穿刺機構,其特征在于,所述滑座上開設有導向孔,所述導向孔的延伸方向與所述滑座相對所述基座的滑動方向相同;所述導桿可滑動伸縮地插設于所述導向孔。
6.根據權利要求1所述的穿刺機構,其特征在于,所述穿刺機構包括吹氣組件,所述吹氣組件用于朝所述刀片穿刺所述鍵合物所形成的穿刺孔吹氣,以使得氣體由所述穿刺孔進入所述硅片與所述載片之間。
7.根據權利要求6所述的穿刺機構,其特征在于,所述吹氣組件包括若干吹氣塊,所述吹氣塊與所述滑座相連接,且所述刀片固定于所述吹氣塊。
8.根據權利要求1-7任一項所述的穿刺機構,其特征在于,所述刀片的刺入端厚度為0.09mm至0.11mm。
9.一種解鍵合裝置,其特征在于,包括權利要求1-8任一項所述的穿刺機構。
10.根據權利要求9所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述解鍵合裝置包括:
影像識別模塊,所述影像識別模塊用于識別所述刀片的刺入端相對所述滑座的偏移量;
測距模塊,所述測距模塊用于檢測所述硅片或所述載片的位置,以獲得穿刺位置信息;及
控制模塊,所述控制模塊與所述影像識別模塊和所述測距模塊電連接,所述控制模塊用于根據所述影像識別模塊所測得的偏移量以及所述穿刺位置信息控制所述基座移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





