[發明專利]一種引線框架用抗折彎CuNiCoSi系合金及其制造方法在審
| 申請號: | 201910306870.4 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN110195166A | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發明(設計)人: | 彭麗軍;劉峰;黃國杰;馬吉苗;楊振;馮雪;尹向前;廖駿駿;雷伏慶;蔣志晶;朱太恒;陳軍 | 申請(專利權)人: | 寧波興業盛泰集團有限公司;有研工程技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | C22C1/03 | 分類號: | C22C1/03;C22C9/06;C22F1/02;C22F1/08 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 315336 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線框架 抗折彎 合金 質量份 制造 | ||
本發明涉及一種引線框架用抗折彎CuNiCoSi系合金及其制造方法,其按質量份包含有Ni:1.0~2.5%、Co:0.5~2.5%、Si:0.3~1.2%,剩余部分由Cu和不可避免的雜質構成其中。
技術領域
本發明涉及一種引線框架用抗折彎CuNiCoSi系合金及其制造方法,該CuNiCoSi系合金產品可應用于高可靠性引線框架、分立元器件、抗彎折彈性元器件和汽車電子元器件等,屬于有色金屬加工領域。
背景技術
信息化時代導致IT產業席卷全球,集成電路是現代電子信息技術的核心,而引線框架是集成電路的重要組成部分,起著支撐芯片、連接外部電路、散發熱量、功率分配等作用。集成電路(IC)的基礎材料是芯片、引線框架和封裝材料。隨著集成電路IC向超大規模和極大規模迅速發展,線路高集成化高密度化,引線框架也向短、小、輕、薄方向發展,制造引線框架材料的銅合金帶材不僅在尺寸精度、表面質量和板型上有嚴格的要求,而且要有良好的導熱、導電性能,較高的強度、彈性、硬度和軟化溫度,還要有良好的耐熱、耐蝕、抗氧化、焊接性、塑封性能和反復彎曲性能等一系列優異的綜合基礎性能。
從高強度和高導電性的角度考慮,作為引線框架材料用銅合金,沉淀強化型銅合金的使用量正在增加,以代替以往以磷青銅、黃銅等為代表的固溶強化型銅合金。對于沉淀強化銅合金,通過對經過固溶化處理的過飽和固溶體進行時效處理,而使微細的析出物均勻地分散,合金的強度得到提高,同時銅中的固溶元素量減少,導電性提高。因此,可以得到強度、彈性等機械性質優異且導電性、導熱性良好的材料。沉淀強化型銅合金中,Cu-Ni-Si系銅合金是兼具較高導電性、強度和加工性能的代表性銅合金,且是銅合金行業中正在集中開發的合金之一。該銅合金通過使微細的Ni-Si系金屬間化合物粒子在銅基體中析出,來實現強度和導電率的提高。
為了更進一步提高Cu-Ni-Si合金的綜合性能,正進行以下各種技術的開發:添加Ni 及Si 以外的合金成分,對合金熔體成分進行潔凈化處理,結晶組織的優化,沉淀相的優化,對加工工藝進行改進等等。例如,已知通過添加Co、或控制母相中析出的第二相粒子來提高綜合性能,作為Cu-Ni-Co-Si系銅合金最近的專利內容列舉如下。
專利CN102812138A中記載了一種鍛造銅合金,其包含鎳:1~2.5 wt %、鈷:0.5~2.0 wt%、硅:0.5~1.5wt% 和作為剩余部分的銅及不可避免的雜質,鎳與鈷的合計含量為1.7~4.3wt%,(Ni+Co)/Si 的比例為2 :1~7 :1,該鍛造銅合金具有超過40%IACS的導電性。合金中的鈷與硅相組合,可限制粒子生長且提高其抗軟化性能,因此形成有助于時效硬化的硅化物。并且該專利文獻記載了在其制造工序中,包含依次進行下述處理的工序:在固溶化處理后不進行中間冷加工,而是以對析出第二相有效的多次時效,對實質上為單一相的上述合金實施一次時效退火,而形成具有硅化物的多相合金,并對多相合金實施冷加工,進行二次時效處理,以對增大析出粒子分布的有效溫度(其中,第二時效退火溫度比第一時效退火溫度低) 和時間,對多相合金實施二次時效退火。此外,該專利文獻還記載了固溶處理以750℃~1050℃的溫度進行10秒~ 1小時;一次時效以350℃~600℃的溫度進行30分鐘~30小時;以5~50%的加工率進行冷加工;二次時效是在溫度350℃~600℃下進行10秒~30小時。
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