[發明專利]一種引線框架用抗折彎CuNiCoSi系合金及其制造方法

在審

• 申請號: 201910306870.4
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110195166A
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 彭麗軍;劉峰;黃國杰;馬吉苗;楊振;馮雪;尹向前;廖駿駿;雷伏慶;蔣志晶;朱太恒;陳軍
• 申請（專利權）人: 寧波興業盛泰集團有限公司;有研工程技術研究院有限公司
• 主分類號: C22C1/03
• 分類號: C22C1/03;C22C9/06;C22F1/02;C22F1/08
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種引線框架用抗折彎CuNiCoSi系合金，其按質量份包含有Ni：1.0～2.5 %、Co：0.5～2.5 %、Si：0.3～1.2 %，剩余部分由Cu和不可避免的雜質構成其中。

2.一種加工如權利要求所述引線框架用抗折彎CuNiCoSi系合金的制造方法，其包括依次進行以下工序：

1）、熔煉：采用真空感應電爐進行熔煉，合金的加入順序為：電解銅、純鎳、純鈷、鎳硅合金，將溫度升到1245～1255℃，至熔體完全熔化后，保溫18min后，充分攪拌、靜置5min后出爐澆鑄，澆鑄溫度為1139～1160℃；

2）、銑面：對合金進行銑面，上下表面各銑1mm；

3）、熱軋：對合金進行加熱，加熱溫度為900℃，保溫時間為1h，熱軋總加工率為92～95%；

4）、經過立式或臥式的退火爐加熱至固溶溫度T₁，隨后快速進行氣體冷卻，冷卻氣體采用的為氮氣與氬氣的混合氣體，混合比例根據成分及加工率的不同在N₂/Ar=1~3.5之間，氣體溫度≤20℃，再經過鐘罩式退火爐加熱至溫度T₂，隨后保溫1~8小時，在快速進行氣體冷卻，這一階段的冷卻氣體采用的是氮氣與氬氣的混合氣體，混合比例根據成分及加工率的不同在N₂/Ar=2~3.2之間，氣體溫度≤20℃，隨后在5℃~30℃/分鐘之間將溫度升至T₃，保溫1小時，隨后進行隨爐冷卻析出合金粒子，合金粒子的晶粒大小在85～180μm之間，析出的晶粒中，粒徑為3nm~10nm的NiSi相個數密度為8×10¹³～6×10¹⁴個／mm³，CoSi相個數密度為4×10⁵～6×10⁸個／mm³；10nm~20nm的NiSi相個數密度為3×10¹⁰～4×10¹²個／mm³，CoSi相個數密度為3×10⁶～7×10⁹個／mm³；20nm-30nm的NiSi相個數密度為8×10⁹～2×10¹¹個／mm³，CoSi相個數密度為8×10⁷～2×10¹⁰個／mm³；30nm以上的NiSi相個數密度為6×10⁵～9×10⁷個／mm³，CoSi相個數密度為3×10⁹～2×10¹²個／mm³；但最大析出粒子直徑NiSi相不超過45nm，CoSi相不超過50nm；兩個30nm以上NiSi析出相之間的最小間距大于等于105nm，兩個30nm以上CoSi析出相之間的最小間距大于等于140nm，兩個30nm以上NiSi析出相和CoSi析出相之間的最小間距大于等于110nm。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于：T₁的范圍為880℃~1020℃。

4.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于：T₂的溫度范圍為420℃~490℃。

5.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于：T₃的溫度范圍為150℃~320℃。