[發明專利]一種陣列基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201910306368.3 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN109801929B | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 鄭帥;簡錦誠;易志根;董波;王青 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13;G02F1/1362;G03F7/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸孔 掩膜版 疊層 半透 絕緣保護層 柵極保護層 陣列基板 烘烤 液晶顯示領域 退火 透明電極層 柵極絕緣層 半導體層 公共電極 像素電極 柵極金屬 連接區 圖案化 源漏極 光罩 漏極 源極 制造 | ||
本發明提出一種陣列基板及其制造方法,涉及液晶顯示領域,包括步驟:S1:利用第一半透掩膜版進行圖案化并進行烘烤形成在第一疊層和第二疊層,第一疊層和第二疊層均依序為第一透明電極層、柵極和柵極保護層;所述柵極保護層在烘烤時用于防止柵極被氧化;S2:利用第二半透掩膜版形成柵極絕緣層、半導體層、第一接觸孔以及第二接觸孔;S3:利用掩膜版形成位于源極、漏極以及源漏極連接區;S4:利用第三半透掩膜版形成第一絕緣保護層、第二絕緣保護層、第三接觸孔以及第四接觸孔;S5:利用掩膜版形成位于第三接觸孔和第四接觸孔內的公共電極。在減少光罩降低成本的同時也能夠很好地解決像素電極退火結晶時柵極金屬銅發生氧化的問題。
技術領域
本發明屬于液晶顯示領域,具體涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術
隨著TFT-LCD的發展,降低生產成本也成為企業生產的重中之重。液晶顯示面板包括相對設置的陣列基板及彩膜基板,其中陣列基板的制造是通過多道構圖工藝從而形成多個薄膜圖形,每一道構圖工藝都包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝,為了降低液晶顯示面板的價格和提高產品的良率,技術人員致力于減少構圖工藝的次數。
現有技術中,已經出現了一種8道光罩的工藝,采用新型氧化物半導體(IGZO)和背溝道刻蝕(Back Channel Etching,簡稱BCE)技術,簡稱為8Masks BCE-IGZO。
在此基礎上,出現了一種6Masks BCE-IGZO工藝,圖1為現有技術中通過6道光罩工藝制成的陣列基板剖面圖,陣列基板包括像素區100和端子區200,陣列基板的像素區100包括位于基板01上的柵極031,部分覆蓋柵極031和部分位于基板01上的像素電極021,覆蓋像素電極021的柵極絕緣層051,位于柵極絕緣層051上方的半導體層061,位于半導體層061兩側的源極071和漏極072,覆蓋源極071、漏極072以及半導體層061的第一絕緣保護層081,位于第一絕緣保護層081上方的第二絕緣保護層091以及位于第二絕緣保護層091和柵極絕緣層051上方的公共電極110。其中,通過對柵極031和像素電極021(ITO材料)分別使用兩道光罩,在形成像素電極021的同時可以在柵極031上方形成一層ITO保護層,防止柵極031在烘烤時出現金屬Cu被氧化的現象;也可以在端子區200的接觸孔201位置處形成源漏極連接區073通過像素電極021連接柵極031的連接狀態,這樣就可將陣列基板的制造減少至6道光罩以節約成本。
發明內容
本發明提供一種陣列基板及其制造方法,這種陣列基板的制造方法將原有的6道光罩變成5道光罩制程,這種減光罩的設計在減少光罩降低成本的同時也能夠很好地解決像素電極退火結晶時柵極金屬銅發生氧化的問題,并能夠很好地控制像素電極和公共電極之間的距離。
本發明的技術方案如下:
本發明公開了一種陣列基板的制造方法,陣列基板包括位于中間的像素區和位于邊緣的端子區,包括以下步驟:
S1:在基板上利用第一半透掩膜版進行圖案化并進行烘烤形成在像素區的像素電極和第一疊層以及位于端子區的第二疊層,第一疊層和第二疊層均依序為第一透明電極層、柵極和柵極保護層;所述柵極保護層在烘烤時用于防止柵極被氧化;
S2:在步驟S1的基礎上利用第二半透掩膜版進行圖案化形成柵極絕緣層、半導體層、位于像素電極上的第一接觸孔以及位于端子區的第二疊層兩側的第二接觸孔,并刻蝕掉端子區的第二疊層的柵極保護層;
S3:在步驟S2的基礎上利用掩膜版進行圖案化形成位于像素區的源極和漏極、以及位于端子區的源漏極連接區,其中漏極位于第一接觸孔且漏極與像素電極接觸,源漏極連接區位于第二接觸孔內且與端子區的柵極接觸;
S4:在步驟S3的基礎上利用第三半透掩膜版進行圖案化形成由無機絕緣材料形成的第一絕緣保護層、由有機絕緣材料形成的第二絕緣保護層、位于像素區100像素電極上方的第三接觸孔以及位于端子區的第四接觸孔;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





