[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201910306368.3
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN109801929B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 鄭帥;簡錦誠;易志根;董波;王青
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13;G02F1/1362;G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板的制造方法，陣列基板包括位于中間的像素區和位于邊緣的端子區，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在基板上利用第一半透掩膜版進行圖案化形成在像素區的像素電極和第一疊層以及位于端子區的第二疊層，第一疊層和第二疊層均依序為第一透明電極層、柵極和柵極保護層；

S2：在步驟S1的基礎上利用第二半透掩膜版進行圖案化形成柵極絕緣層、半導體層、位于像素電極上的第一接觸孔以及位于端子區的第二疊層兩側的第二接觸孔，并刻蝕掉端子區的第二疊層的柵極保護層；

S3：在步驟S2的基礎上利用掩膜版進行圖案化形成位于像素區的源極和漏極、以及位于端子區的源漏極連接區，其中漏極位于第一接觸孔且漏極與像素電極接觸，源漏極連接區位于第二接觸孔內且與端子區的柵極接觸；

S4：在步驟S3的基礎上利用第三半透掩膜版進行圖案化形成由無機絕緣材料形成的第一絕緣保護層、由有機絕緣材料形成的第二絕緣保護層、位于像素區像素電極上方的第三接觸孔以及位于端子區的第四接觸孔；

S5：在步驟S4的基礎上利用掩膜版進行圖案化形成位于第三接觸孔和第四接觸孔內的公共電極；

其中，所述第一透明電極層、柵極和柵極保護層制作材料分別為ITO、Cu以及IGZO。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S1具體為以下步驟：

S11：在基板上依次涂覆第一透明電極層、第一金屬層以及第一半導體材料層；

S12：形成覆蓋第一半導體材料層的光刻膠，采用第一半透掩膜版對光刻膠進行曝光，顯影后形成無光刻膠保留區、光刻膠部分保留區和光刻膠完整保留區；

S13：在步驟S12的基礎上對無光刻膠保留區的第一半導體材料層、第一金屬層以及第一透明電極層進行刻蝕，先用含氟酮酸刻蝕掉第一半導體材料層和第一金屬層，再用草酸刻蝕掉第一透明電極層；

S14：對光刻膠進行灰化處理，去除掉光刻膠部分保留區的光刻膠，光刻膠部分保留區的第一半導體材料層裸露在外，光刻膠完整保留區的光刻膠變薄；

S15：對光刻膠部分保留區的第一半導體材料層和第一金屬層進行刻蝕，在像素區的光刻膠部分保留區內剩余第一透明電極層，在像素區和端子區的光刻膠完整保留區形成柵極和柵極保護層；

S16：剝離光刻膠完整保留區剩余的光刻膠，然后進行烘烤，裸露在外的第一透明電極層形成像素電極，剩下的第一透明電極層、柵極以及柵極保護層在像素區和端子區的光刻膠完整保留區分別形成第一疊層和第二疊層。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S2具體為以下步驟：

S21：在步驟S1完成的基板上沉積絕緣保護層和第二半導體材料層；

S22：形成覆蓋第二半導體材料層的光刻膠，采用第二半透掩膜版對光刻膠進行曝光，顯影后形成無光刻膠保留區、光刻膠部分保留區和光刻膠完整保留區；

S23：先后分別對所述第二半導體材料層和絕緣保護層進行刻蝕，無光刻膠保留區的絕緣保護層和第二半導體材料層會被完全刻蝕掉，光刻膠完整保留區的絕緣保護層形成柵極絕緣層，其中，在像素區的無光刻膠保留區形成第一接觸孔，在端子區的無光刻膠保留區形成位于第二疊層兩側的第二接觸孔；

S24：對光刻膠進行灰化處理，去除掉光刻膠部分保留區的光刻膠，光刻膠部分保留區的第二半導體材料層裸露在外；

S25：對裸露在外的第二半導體材料層和端子區的柵極保護層進行刻蝕，剩下的第二半導體材料層形成半導體層；

S26：剝離光刻膠完整保留區剩余的光刻膠。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4具體為以下步驟：

S41：在步驟S3的基礎上沉積由無機絕緣材料制作的第一保護材料層和由有機絕緣材料制作的第二保護材料層；

S42：采用第三半透掩膜版對第二保護材料層進行曝光，顯影后形成無有機絕緣材料保留區、有機絕緣材料部分保留區和有機絕緣材料完整保留區；

S43：對所述第一保護材料層和第二保護材料層進行干刻，形成第一絕緣保護層、第二絕緣保護層、位于像素區像素電極上方的第三接觸孔以及位于端子區的第四接觸孔。