[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201910305470.1
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN110265390B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: S·德克爾;R·伊玲;M·內爾希貝爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/62
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;鄭振

1.一種半導體器件，包括具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的半導體本體，所述半導體本體包括：

負載電流部件，包括負載電流晶體管區域；以及

傳感器部件，包括傳感器晶體管區域，

其中所述負載電流晶體管區域和所述傳感器晶體管區域共享相同的晶體管單元構造，

其中所述負載電流晶體管區域包括第一晶體管區域部分和第二晶體管區域部分，并且所述傳感器晶體管區域包括第三晶體管區域部分，

其中所述第一晶體管區域部分和所述第三晶體管區域部分與所述第一晶體管區域部分和所述第三晶體管區域部分之間的所述第二晶體管區域部分的不同之處在于，所述負載電流晶體管區域元件的源極區域在所述第二晶體管 區域部分中是不存在的。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一隔離層，在所述半導體本體的所述第一表面上，

第一布線層，在所述第一隔離層上，所述第一布線層包括負載電流接觸結構和傳感器接觸結構，所述負載電流接觸結構被電耦合到所述負載電流晶體管區域，并且所述傳感器接觸結構被電耦合到所述傳感器晶體管區域；

第二隔離層，在所述第一布線層上；以及

第二布線層，在所述第二隔離層上，與所述負載電流晶體管區域和所述傳感器晶體管區域重疊，所述第二布線層被電耦合到所述負載電流接觸結構、并且與所述傳感器接觸結構隔離。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述負載電流接觸結構和所述傳感器電流接觸結構包括平行延伸的導電線。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

其中所述傳感器晶體管區域的源極區域和所述負載電流晶體管區域的源極區域在所述第一表面處，并且公共漏極區域在所述半導體本體的所述第二表面處。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件，

其中所述負載電流部件包括第一溝槽，并且所述傳感器部件包括第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽均包括柵極電極，所述柵極電極與彼此電耦合。

6.一種半導體器件，包括具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的半導體本體，所述半導體本體包括：

負載電流部件，包括負載電流晶體管區域；以及

傳感器部件，包括傳感器晶體管區域，其中所述傳感器部件可操作用于供應與流過所述負載電流部件的負載電流成比例的電流；

其中所述傳感器晶體管區域包括第一晶體管區域部分和第三晶體管區域部分，所述第一晶體管區域部分和所述第三晶體管區域部分與在所述第一晶體管區域部分和所述第三晶體管區域部分之間的第二晶體管區域部分的不同點在于，在所述第二晶體管區域部分中不存在傳感器晶體管區域元件，所述不存在的傳感器晶體管區域元件將所述第二晶體管區域部分從所述第一晶體管區域部分和所述第三晶體管區域部分的并聯連接電斷開。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述傳感器晶體管區域元件是所述傳感器晶體管區域的源極區域。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述傳感器晶體管區域元件是所述傳感器晶體管區域的源極區域上的電接觸結構。

9.如權利要求6-8中任一項所述的半導體器件，其中所述第一至第三晶體管區域部分沿著第一橫向方向被布置，所述第一晶體管區域部分和所述第三晶體管區域部分的源極區域通過沿著所述第一橫向方向延伸的導電線進行電耦合。