[發(fā)明專利]微型器件的轉(zhuǎn)移裝置及微型器件的轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910301234.2 | 申請日: | 2019-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN110707016B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張煒熾;林金源;陳英杰;陸一民;吳逸蔚 | 申請(專利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飛亞;薛曉偉 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微型 器件 轉(zhuǎn)移 裝置 方法 | ||
1.一種微型器件的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,包括:
第一基底;
轉(zhuǎn)移基底,所述轉(zhuǎn)移基底形成于所述第一基底上,所述轉(zhuǎn)移基底用于承載多個微型器件,所述轉(zhuǎn)移基底通過粘合層固定對應(yīng)設(shè)置的所述微型器件;
紫外光光源,用以發(fā)射紫外光至所述粘合層,使所述粘合層粘性下降;
所述第一基底和所述轉(zhuǎn)移基底之間還設(shè)置有至少一個緩沖元件,所述緩沖元件用于為所述微型器件提供緩沖力;
所述第一基底上形成有凹陷形成的至少一個井,每一個所述井中容納有至少一個平臺,所述緩沖元件設(shè)置于所述井和所述平臺之間的空間內(nèi),所述轉(zhuǎn)移基底形成于所述平臺上;
其中,所述緩沖元件為磁鐵組,所述磁鐵組包括第一磁鐵和第二磁鐵,所述第一磁鐵位于所述井的側(cè)壁,所述第二磁鐵位于所述平臺的側(cè)壁,所述第一磁鐵與所述第二磁鐵相對設(shè)置,且磁場方向相反,使得所述平臺呈懸浮狀態(tài)收容于所述井中。
2.一種微型器件的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:包括:
第一基底;
轉(zhuǎn)移基底,所述轉(zhuǎn)移基底形成于所述第一基底上,所述轉(zhuǎn)移基底用于承載多個微型器件,所述轉(zhuǎn)移基底通過粘合層固定對應(yīng)設(shè)置的所述微型器件;
紫外光光源,用以發(fā)射紫外光至所述粘合層,使所述粘合層粘性下降;
所述第一基底和所述轉(zhuǎn)移基底之間還設(shè)置有至少一個緩沖元件,所述緩沖元件用于為所述微型器件提供緩沖力;
所述第一基底上形成有凹陷形成的至少一個井,每一個所述井中容納有至少一個平臺,所述緩沖元件設(shè)置于所述井和所述平臺之間的空間內(nèi),所述轉(zhuǎn)移基底形成于所述平臺上;
其中,所述緩沖元件為電磁鐵組,所述電磁鐵組包括第一電磁鐵和第二電磁鐵,所述第一電磁鐵位于所述井的側(cè)壁,所述第二電磁鐵位于所述平臺的側(cè)壁,所述第一電磁鐵與所述第二電磁鐵相對設(shè)置,且磁場方向相反,使得所述平臺呈懸浮狀態(tài)收容于所述井中。
3.如權(quán)利要求1或2所述的微型器件的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述平臺為不透明的材質(zhì),所述平臺具有暴露所述轉(zhuǎn)移基底的通孔,所述每一個井的底面具有至少一個紫外光光源,所述轉(zhuǎn)移基底通過粘合層固定對應(yīng)設(shè)置的所述多個微型器件。
4.如權(quán)利要求1或2所述的微型器件的轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述平臺為透明的材質(zhì),所述每一個井的底面具有至少一個所述紫外光光源,所述轉(zhuǎn)移基底通過粘合層固定對應(yīng)設(shè)置的所述多個微型器件。
5.一種微型器件的轉(zhuǎn)移方法,其包括:
提供一轉(zhuǎn)移裝置,所述轉(zhuǎn)移裝置包括第一基底及轉(zhuǎn)移基底,所述轉(zhuǎn)移基底形成于所述第一基底上,所述第一基底和所述轉(zhuǎn)移基底之間還包括至少一個緩沖元件及一紫外光光源;
在所述轉(zhuǎn)移基底上形成多個微型器件,所述轉(zhuǎn)移基底和所述微型器件之間通過粘合層固定;
提供用于使用所述微型器件的接收基板,對準所述轉(zhuǎn)移基底和所述接收基板;
向所述接收基板或所述轉(zhuǎn)移裝置施加壓力,使所述多個微型器件固定于所述接收基板;
打開所述紫外光光源,所述紫外光光源發(fā)出的紫外光照射到所述粘合層,使得所述粘合層失去粘性;
移除所述轉(zhuǎn)移基底;
其中,所述第一基底包括多個井以及容納于所述井中的平臺,所述緩沖元件設(shè)置于所述井和所述平臺之間的空間中,所述轉(zhuǎn)移基底形成于所述平臺上,所述緩沖元件為磁鐵組,所述磁鐵組包括第一磁鐵和第二磁鐵,所述第一磁鐵位于所述井的側(cè)壁,所述第二磁鐵位于所述平臺的側(cè)壁,所述第一磁鐵與所述第二磁鐵相對設(shè)置,且磁場方向相反,使得所述平臺呈懸浮狀態(tài)收容于所述井中。
6.一種微型器件的轉(zhuǎn)移方法,其包括:
提供一轉(zhuǎn)移裝置,所述轉(zhuǎn)移裝置包括第一基底,所述第一基底包括多個井以及容納于所述井中的平臺,所述井和所述平臺之間設(shè)置有緩沖元件,所述平臺承載有轉(zhuǎn)移基底,每一個井的底面具有至少一個紫外光光源;
在所述轉(zhuǎn)移基底上形成多個微型器件,所述轉(zhuǎn)移基底和所述微型器件之間通過粘合層固定;
提供用于使用所述微型器件的接收基板,對準所述轉(zhuǎn)移基底和所述接收基板;
向所述接收基板或所述轉(zhuǎn)移裝置施加壓力,使所述多個微型器件固定于所述接收基板;
打開所述紫外光光源,所述紫外光光源發(fā)出的紫外光照射到所述粘合層,使得所述粘合層失去粘性;
移除所述轉(zhuǎn)移裝置;
其中,所述緩沖元件為電磁鐵組,所述電磁鐵組包括第一電磁鐵和第二電磁鐵,所述第一電磁鐵位于所述井的側(cè)壁,所述第二電磁鐵位于所述平臺的側(cè)壁,所述第一電磁鐵與所述第二電磁鐵相對設(shè)置,且磁場方向相反,使得所述平臺呈懸浮狀態(tài)收容于所述井中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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