[發明專利]一種Ta/Mo雙層膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201910301113.8 | 申請日: | 2019-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN110172676A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發明(設計)人: | 章嵩;郭力銅;涂溶;王傳彬;沈強;張聯盟 | 申請(專利權)人: | 武漢理工大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明;李欣榮 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙層膜 制備 對靶 磁控濺射技術 保護氣體 沉積氣壓 關閉電源 環境友好 基底表面 濺射功率 制備工藝 抽真空 預熱 沉積 加熱 電源 應用 | ||
本發明公開了一種Ta/Mo雙層膜的制備方法,包括如下步驟:1)采用磁控濺射技術,分別安裝Ta對靶和Mo對靶;2)抽真空并并對基體進行加熱;3)預熱3)通入保護氣體,并調節沉積氣壓;4)依次打開Ta靶和Mo靶電源,并調節濺射功率,依次在基底表面沉積Ta膜和Mo膜;5)關閉電源自然冷卻至室溫,得Ta/Mo雙層膜。本發明涉及的制備工藝簡單、操作方便,制備的涂層環境友好、硬度高,具有很好的應用前景。
技術領域
本發明屬于表面處理技術領域,具體涉及一種Ta/Mo雙層膜及其制備方法。
背景技術
隨著現代戰爭對火炮的威力和射程等技術指標要求的不斷提高,越來越多的火藥被裝填進炮膛,使得身管燒蝕磨損問題愈發嚴重,已成為制約火炮向高性能方面發展的關鍵因素。火炮射擊時,火藥氣體的最高溫度可達3500℃左右,炮膛內層表面溫度可達800℃以上,有時甚至會超過1000℃,從而使基體金屬發生相變;當火炮連續射擊時,膛壁溫度可超過炮鋼材料的熔點1400℃;急劇的熱-冷循環,還會使炮膛內層產生熱應力。在材料或工件表面制備高性能涂層,已成為提高材料機械性能、延長工件使用壽命的重要手段或方法。同樣,在火炮身管炮膛制備耐燒蝕保護層,是提高身管抗燒蝕能力的最新身管延壽方法之一。
傳統炮膛保護涂層使用金屬Cr,但是電鍍Cr會產生極高致癌性的六價鉻,不滿足現今國家對節能環保與可持續發展的要求;同時在彈丸發射期間,火藥和高壓燃氣的沖刷和彈丸的撞擊更是要求涂層有高的硬度。因此,進一步發展綠色、高性能的涂層工藝技術已成為當前技術發展趨勢。
發明內容
本發明的目的在于提出一種新型Ta/Mo雙層膜及其制備方法,采用雙靶非平衡磁控濺射技術沉積Ta/Mo雙層膜,所得涂層硬度高,與基體貼合緊密,且環境友好,適合推廣應用。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案為:
一種Ta/Mo雙層膜的制備方法,包括如下步驟:
1)將兩塊相同規格的Ta靶對稱設置在磁控濺射設備中的一對濺射靶座上,調節靶面間距1;將兩塊相同規格的Mo靶對稱設置在磁控濺射設備中的另一對濺射靶座上,調節靶面間距2;
2)將預處理的基體放在磁控濺射設備的基片臺上,設定加熱溫度;抽真空并打開加熱器將基體預熱到設定的加熱溫度;
3)向磁控濺射設備中通入保護氣體,調節氣體流量和磁控濺射設備沉積腔中的氣壓;
4)設定濺射功率P1,打開Ta靶電源,調節基片臺方位使基體沉浸在Ta靶產生的等離子體中,開始沉積Ta膜,沉積結束關閉Ta靶電源;
5)設定濺射功率P2,打開Mo靶電源,調節基片臺方位使經步驟4)沉積處理的基體沉浸在Mo靶產生的等離子體中,開始沉積Mo膜,沉積結束關閉Mo靶電源;
6)停止通入保護氣體,關閉磁控電源和反應器內的加熱系統,并自然冷卻至室溫,即得在基體表面沉積得到Ta/Mo雙層膜。
上述方案中,步驟1)中所述磁控對靶(Ta靶或Mo靶)分別設置在兩個調節磁控對靶相對距離的支架上。
上述方案中,步驟1)中所述靶面間距1和靶面間距2的調節范圍分別為5-20cm。
上述方案中,步驟2)中所述加熱溫度為20~300℃。
上述方案中,所述保護氣體可選用氬氣、氪氣、氙氣等。
上述方案中,步驟3)中所述氣體流量為10-30SCCM,沉積腔中的氣壓為0.1-10Pa。
上述方案中,所述濺射功率P1和濺射功率P2的調節范圍分別為10-250W,沉積時間分別為為0.5-12h。
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