[發明專利]一種Ta/Mo雙層膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201910301113.8
• 申請日: 2019-04-15
• 公開（公告）號: CN110172676A
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 章嵩;郭力銅;涂溶;王傳彬;沈強;張聯盟
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 崔友明;李欣榮

1.一種Ta/Mo雙層膜的制備方法，包括如下步驟：

1)將兩塊相同規格的Ta靶對稱設置在磁控濺射設備中的一對濺射靶座上，調節靶面間距1；將兩塊相同規格的Mo靶對稱設置在磁控濺射設備中的另一對濺射靶座上，調節靶面間距2；

2)將預處理的基體放在磁控濺射設備的基片臺上，設定加熱溫度；抽真空并打開加熱器將基體預熱到設定的加熱溫度；

3)向磁控濺射設備中通入保護氣體，調節氣體流量和磁控濺射設備沉積腔中的氣壓；

4)設定濺射功率P₁，打開Ta靶電源，調節基片臺方位使基體沉浸在Ta靶產生的等離子體中，開始沉積Ta膜，沉積結束關閉Ta靶電源；

5)設定濺射功率P₂，打開Mo靶電源，調節基片臺方位使經步驟4)沉積處理的基體沉浸在Mo靶產生的等離子體中，開始沉積Mo膜，沉積結束關閉Mo靶電源；

6)停止通入保護氣體，關閉磁控電源和反應器內的加熱系統，并自然冷卻至室溫，即得在基體表面沉積得到Ta/Mo雙層膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述靶面間距1和靶面間距2的調節范圍分別為5-20cm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述加熱溫度為20～300℃。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護氣體為氬氣、氪氣或氙氣。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述氣體流量為10-30SCCM，沉積腔中的氣壓為0.1-10Pa。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述濺射功率P₁和濺射功率P₂的調節范圍分別為10-250W，沉積時間分別為0.5-12h。

7.權利要求1～6任一項所述制備方法制備的Ta/Mo雙層膜，其特征在于，它包括依次在基體表面附著的Ta涂層和Mo涂層，其中Ta涂層厚度為0.1-50μm，Mo涂層厚度為0.1-50μm。