[發(fā)明專利]一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

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• 申請日: 2019-04-15
• 公開（公告）號: CN110060997B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志國
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

至少兩個(gè)放電元件區(qū)域，各個(gè)所述放電元件區(qū)域之間并聯(lián)連接，且每個(gè)所述放電元件區(qū)域中設(shè)有多個(gè)并聯(lián)連接的NMOS晶體管；

至少兩個(gè)襯底接觸部，分別環(huán)繞各個(gè)所述放電元件區(qū)域四周；

其中，所述靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)環(huán)，所述保護(hù)環(huán)環(huán)繞所述放電元件區(qū)域四周，并位于所述襯底接觸部外圍，所述保護(hù)環(huán)為N型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述放電元件區(qū)域的數(shù)量范圍是2～10個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：每個(gè)所述放電元件區(qū)域的面積不大于250平方微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述放電元件區(qū)域的長度范圍是20～50微米，寬度范圍是20～50微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：各個(gè)所述放電元件區(qū)域分別采用各自的所述保護(hù)環(huán)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述保護(hù)環(huán)位于相鄰兩個(gè)所述放電元件區(qū)域之間的部分被這兩個(gè)所述放電元件區(qū)域共用。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：至少有兩個(gè)所述放電元件區(qū)域共用一個(gè)所述保護(hù)環(huán)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述NMOS晶體管包括柵極接地NMOS晶體管及柵極耦合NMOS晶體管中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：同一所述放電元件區(qū)域中，多個(gè)所述NMOS晶體管采用多指交叉并聯(lián)結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：同一所述放電元件區(qū)域中，至少有兩個(gè)所述NMOS晶體管共用源極，至少有兩個(gè)所述NMOS晶體管共用漏極。

11.一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底中定義至少兩個(gè)放電元件區(qū)域；

形成多個(gè)NMOS晶體管于各個(gè)所述放電元件區(qū)域中，其中，同一所述放電元件區(qū)域中的多個(gè)NMOS晶體管并聯(lián)連接，且各個(gè)所述放電元件區(qū)域之間并聯(lián)連接；

形成至少兩個(gè)襯底接觸部，各個(gè)所述襯底接觸部分別環(huán)繞各個(gè)所述放電元件區(qū)域四周；

形成保護(hù)環(huán)，所述保護(hù)環(huán)環(huán)繞所述放電元件區(qū)域四周，并位于所述襯底接觸部外圍，所述保護(hù)環(huán)為N型。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：各個(gè)所述放電元件區(qū)域分別采用各自的所述保護(hù)環(huán)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述保護(hù)環(huán)位于相鄰兩個(gè)所述放電元件區(qū)域之間的部分被這兩個(gè)所述放電元件區(qū)域共用。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：至少有兩個(gè)所述放電元件區(qū)域共用一個(gè)所述保護(hù)環(huán)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述放電元件區(qū)域的數(shù)量范圍是2～10個(gè)。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：每個(gè)所述放電元件區(qū)域的面積不大于250平方微米。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述NMOS晶體管包括柵極接地NMOS晶體管及柵極耦合NMOS晶體管中的至少一種。