[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201910299348.8
• 申請日: 2019-04-15
• 公開（公告）號: CN110767657A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 李振元;李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

半導體裝置及半導體裝置的制造方法。該半導體裝置包括：被第一穿透部穿透的源極結構；設置在源極結構上并被與第一穿透部交疊的第二穿透部穿透的第一層疊結構。

技術領域

本公開的各種實施方式涉及半導體裝置及其制造方法，更具體地，涉及三維半導體裝置及其制造方法。

背景技術

半導體裝置可以包括能夠存儲數據的存儲器裝置。已經提出了三維半導體裝置來提高存儲器單元的集成密度。

三維半導體裝置可以包括以三維布置的存儲器單元。以三維布置的存儲器單元可以限定在層疊在基板上以彼此間隔開的導電圖案與穿過導電圖案的溝道柱之間的交叉點處。

已經開發了各種技術來簡化上述三維半導體裝置的制造工藝。

發明內容

根據實施方式，半導體裝置可以包括：源極結構，其被第一穿透部穿透；第一層疊結構，其設置在源極結構上并被與第一穿透部交疊的第二穿透部穿透；第二層疊結構，其設置在第一層疊結構上并延伸以與第一穿透部和第二穿透部交疊；以及溝道柱，其穿過第二層疊結構和第一層疊結構。

根據實施方式，半導體裝置可以包括：源極結構，其被第一穿透部穿透；第一層疊結構，其設置在源極結構上，并通過第一狹縫劃分為存儲塊；以及第二穿透部，其穿過各存儲塊的第一層疊結構并與第一穿透部交疊。源極結構可以包括突出部，該突出部在水平方向上比第一層疊結構的由第二穿透部限定的邊緣更朝向第二穿透部的中部區域突出。

根據實施方式，一種制造半導體裝置的方法可以包括以下步驟：通過在源極層疊結構上交替層疊第一材料層和第二材料層來形成第一層疊結構；形成穿過第一層疊結構和源極層疊結構的第一穿透部；以及通過從第一穿透部的側部蝕刻第一層疊結構來形成露出源極層疊結構的頂表面的第二穿透部。

根據實施方式，半導體裝置可以包括：源極結構，其包括蝕刻停止層并被第一穿透部穿透；以及第一層疊結構，其設置在源極結構上并被與第一穿透部交疊的第二穿透部穿透。第二穿透部可以比第一穿透部寬。

附圖說明

圖1是示意性地例示根據實施方式的半導體裝置的框圖。

圖2A和圖2B是例示根據實施方式的存儲塊的結構的圖。

圖3是例示源極結構的突出部、第二穿透部和第二狹縫的布置的截面圖。

圖4A和圖4B分別是例示第一層疊結構的布局和第二層疊結構的布局的圖。

圖5A和圖5B分別是例示溝道柱的縱截面和橫截面的圖。

圖6和圖7是例示支撐結構的變型的示例的圖。

圖8A至圖8K是例示根據實施方式的制造半導體裝置的方法的截面圖。

圖9是例示根據實施方式的存儲器系統的配置的框圖。

圖10是例示根據實施方式的計算系統的配置的框圖。

具體實施方式

本公開的技術精神可以包括可以應用各種修改和變型并且包括各種形式的實施方式的示例。在下文中，將描述本公開的實施方式的示例，以便本公開所屬領域的技術人員能夠容易地實現本公開的技術精神。

雖然諸如“第一”和“第二”之類的術語可以用于描述各種組件，但是這些組件不應被理解為限于上述術語。以上術語用于將一個組件與另一組件區分開，例如，在不脫離根據本公開的概念的范圍的情況下，第一組件可以稱為第二組件，類似地，第二組件可以稱為第一組件。