[發(fā)明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

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• 申請日: 2019-04-15
• 公開（公告）號: CN110767657A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設計）人: 李振元;李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

源極結構，所述源極結構被第一穿透部穿透；

第一層疊結構，所述第一層疊結構設置在所述源極結構上并被與所述第一穿透部交疊的第二穿透部穿透；

第二層疊結構，所述第二層疊結構設置在所述第一層疊結構上并延伸以與所述第一穿透部和所述第二穿透部交疊；以及

溝道柱，所述溝道柱穿過所述第二層疊結構和所述第一層疊結構。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二穿透部比所述第一穿透部寬。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二穿透部包括與所述第一穿透部交疊的中部區(qū)域和從所述中部區(qū)域延伸并與所述源極結構交疊的邊緣區(qū)域。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括絕緣圖案，所述絕緣圖案填充所述第一穿透部和所述第二穿透部并且具有T形截面結構。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括狹縫，所述狹縫橫穿所述溝道柱之間的空間以穿過所述第一層疊結構和所述第二層疊結構，并且所述狹縫延伸以與所述第二穿透部的一側相交。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述狹縫包括面向所述第一穿透部的端部，

其中，所述源極結構的由所述第一穿透部限定的邊緣在水平方向上比所述第一層疊結構的由所述第二穿透部限定的邊緣更朝向所述第二穿透部的中部突出，并且

其中，所述狹縫的所述端部與所述源極結構的比所述第一層疊結構更突出的部分交疊。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源極結構包括被所述第一穿透部完全穿透的至少一個摻雜半導體層。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述源極結構還包括形成在所述至少一個摻雜半導體層上的絕緣層和形成在所述絕緣層上的蝕刻停止層。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述蝕刻停止層包括硅層。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一層疊結構包括被所述溝道柱穿透的第一區(qū)域和從所述第一區(qū)域延伸以設置在所述第二穿透部的相對兩側的第二區(qū)域，并且

其中，所述第二層疊結構包括與所述第二穿透部交疊的虛擬層疊結構以及延伸以與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域交疊的柵極層疊結構。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第一層疊結構和所述柵極層疊結構中的每一個包括交替層疊的層間絕緣層和導電圖案，并且

其中，所述虛擬層疊結構包括在水平方向上從所述柵極層疊結構的層間絕緣層延伸的虛擬層間絕緣層和設置在所述虛擬層間絕緣層之間的犧牲絕緣層。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

接觸插塞，所述接觸插塞穿過所述虛擬層疊結構以延伸到所述第二穿透部和所述第一穿透部中；以及

外圍電路結構，所述外圍電路結構設置在所述源極結構和所述接觸插塞下方并且聯(lián)接到所述接觸插塞。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括支撐結構，所述支撐結構穿過所述第一層疊結構的與所述第二穿透部相鄰的部分并且延伸以穿過所述第二層疊結構，

其中，所述支撐結構包括絕緣柱、在水平方向上比每個所述絕緣柱延伸得更遠的絕緣條、以及具有與所述溝道柱相同的結構的虛擬溝道柱中的至少一者。