[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201910293890.2 | 申請日: | 2019-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN110010627B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 劉英偉;姚琪;王珂;曹占鋒;梁志偉;狄沐昕;袁廣才;蔣學;劉冬妮 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,能夠在實現窄邊框并提高開口率的基礎上,避免像素電路層斷線。一種陣列基板的制作方法,其特征在于,所述陣列基板的制作方法包括:在基底上形成貫通孔,并在所述貫通孔中填充第一導電材料;在所述基底的第一表面形成像素電路層,所述像素電路層中具有與所述貫通孔一一對應的第一過孔,所述第一過孔在所述基底上的正投影和與其對應的所述貫通孔至少部分重合。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
隨著微電子技術的不斷進步,集成電路的特征尺寸不斷縮小,互連密度不斷提高,用戶對顯示面板的要求也不斷提高。
其中,如何減小顯示面板的邊框寬度是目前亟待解決的問題。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置,能夠在實現窄邊框的基礎上,避免像素電路層斷線。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面,提供一種陣列基板的制作方法,所述陣列基板的制作方法包括:在基底上形成貫通孔,并在所述貫通孔中填充第一導電材料;在所述基底的第一表面形成像素電路層,所述像素電路層中具有與所述貫通孔一一對應的第一過孔,所述第一過孔在所述基底上的正投影和與其對應的所述貫通孔至少部分重合。
可選的,所述像素電路層包括像素電路;所述陣列基板的制作方法還包括:在所述第一過孔中填充第二導電材料,所述第二導電材料與所述像素電路電連接。
可選的,所述陣列基板的制作方法還包括:在所述基底的與所述第一表面相對的第二表面依次形成連接電路層和覆蓋所述連接電路層的保護層;所述連接電路層和所述保護層中具有與所述貫通孔一一對應的第二過孔,所述第二過孔貫穿所述連接電路層和所述保護層,且所述第二過孔在所述基底上的正投影和與其對應的所述貫通孔至少部分重合;其中,所述第二過孔露出位于所述連接電路層側面的接線端。
可選的,所述陣列基板的制作方法還包括:在所述第二過孔中填充第三導電材料,所述第三導電材料通過所述連接電路層中的接線端與所述連接電路層電連接。
可選的,所述保護層還具有第三過孔,所述第三過孔在所述基底上的正投影與所述連接電路層在所述基底上的正投影至少部分重合;所述連接電路層包括源極驅動電路和柵極驅動電路;所述陣列基板的制作方法還包括:在所述第三過孔中填充氧化物導電材料,并在所述保護層背離所述連接電路層一側形成驅動電路層,所述驅動電路層用于通過所述氧化物導電材料向所述源極驅動電路和所述柵極驅動電路提供顯示信號和時序控制信號。
可選的,所述第一過孔在所述基底上的正投影和與其對應的所述貫通孔完全重合;或者,所述第一過孔在所述基底上的正投影完全覆蓋與其對應的所述貫通孔,且其面積大于所述貫通孔的橫截面的面積。
第二方面,提供一種陣列基板,包括:基底,所述基底上設置有貫通孔,所述貫通孔中設置有第一導電材料;所述基底的第一表面上設置有像素電路層,所述像素電路層具有與所述貫通孔一一對應的第一過孔,所述第一過孔在所述基底上的正投影和與其對應的所述貫通孔至少部分重合,所述第一過孔中填充有第二導電材料;所述像素電路層包括像素電路,所述像素電路通過設置在所述第一過孔中的第二導電材料與所述第一導電材料電連接。
可選的,所述基底的與所述第一表面相對的第二表面上依次設置有連接電路層和覆蓋所述連接電路層的保護層;所述連接電路層和所述保護層中具有與所述貫通孔一一對應的第二過孔,所述第二過孔貫穿所述連接電路層和所述保護層,且所述第二過孔在所述基底上的正投影和與其對應的所述貫通孔至少部分重合;所述第二過孔露出位于所述連接電路層側面的接線端,所述第二過孔中填充有第三導電材料,所述連接電路層中的接線端通過所述第三導電材料與所述第一導電材料電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





