[發明專利]一種感光器件、TFT陣列基板及其顯示面板在審
| 申請號: | 201910287732.6 | 申請日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN110112138A | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發明(設計)人: | 盧馬才;劉念 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化物薄膜晶體管 感光器件 環境光 偵測 可見光 單個薄膜 電性連接 結構設置 顯示面板 多層級 響應 晶體管 元器件 漏極 應用 | ||
本發明提供了一種感光器件,包括第一氧化物薄膜晶體管和第二氧化物薄膜晶體管,其中所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極電性連接所述第二氧化物薄膜晶體管的柵極。其中本發明涉及的所述感光器件,采用多層級設置的氧化物薄膜晶體管結構設置,可以大幅度提升其整體對環境光的響應幅度,突破單個薄膜晶體管對光響應較小而限制其作為可見光偵測元器件應用的限制,從而使得本發明涉及的所述感光器件能夠實現對環境光的偵測,擴展了其可應用的范圍。
技術領域
本發明涉及平面顯示技術領域,尤其是,其中的一種感光器件、TFT陣列基板及其顯示面板。
背景技術
已知,隨著顯示技術的發展,TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay,薄膜晶體管液晶顯示器)以其絕對的優勢(成本低、畫質好、功耗低等)在顯示領域占據了主導地位,如可以應用到電腦、電視機、手機等視聽設備中。
這其中,液晶面板的結構通常是由一彩色濾光片基板(Color Filter,CF)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate簡稱TFT基板)、以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成,其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉,將背光模組的光線折射出來產生畫面。其中所述TFT基板中的薄膜晶體管對于實現正常的顯示功能,起到直接的作用。
進一步的,隨著技術的不斷發展,業界開發出了金屬氧化物型的薄膜晶體管,由于其所具有的高遷移率、透明、低亞閾值擺幅等優點,被業界用于下一代顯示器件。
但是,單個金屬氧化物薄膜晶體管,如IGZO型TFT,由于其采用的金屬氧化物半導體材料的光學帶隙較大,對可見光響應較低,較難用于顯示基板上進行光學檢測。其中如圖4所示,其圖示了在光照條件下與非光照條件下,對所述金屬氧化物薄膜晶體管的Id-Vg特性影響。
很明顯如圖4中所示,其所在的TFT陣列基板的光學偵測能力較弱,相應的,也就不適用于業界需要的用作顯示屏內指紋識別、環境光偵測等應用,進而也就不利于其作為下一代顯示器件的應用。
因此,確有必要來開發一種新型的感光器件,來克服現有技術中的缺陷。
發明內容
本發明的一個方面是提供一種感光器件,其采用新型的氧化物薄膜晶體管層級結構設置,有效的提升了其整體對于環境光的響應,進而擴展了其可應用的范圍。
本發明采用的技術方案如下:
一種感光器件,包括第一氧化物薄膜晶體管(Oxide Thin-Film Transistor,TFT)和第二氧化物薄膜晶體管,其中所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極電性連接所述第二氧化物薄膜晶體管的柵極。其中本發明涉及的所述感光器件,采用多層級設置的氧化物薄膜晶體管結構設置,可以大幅度提升其對環境光的響應幅度,突破單個薄膜晶體管對光響應較小而限制其作為可見光偵測元器件應用的限制,從而使得本發明涉及的所述感光器件能夠實現對環境光的偵測,從而擴展了其可應用的范圍。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述第一氧化物薄膜晶體管包括頂柵型(Topgate)IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT、頂柵型IGZTO(In-Ga-Zn-Sn-O)TFT或BCE(Back ChannelEtched,背溝道刻蝕型)型IGZO TFT中的一種。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述第二氧化物薄膜晶體管包括頂柵型IGZOTFT、頂柵型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一種。
進一步的,在不同實施方式中,其還包括第三氧化物薄膜晶體管,其中所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極電性連接所述第三氧化物薄膜晶體管的柵極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





