[發明專利]一種感光器件、TFT陣列基板及其顯示面板在審
| 申請號： | 201910287732.6 | 申請日： | 2019-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN110112138A | 公開（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發明（設計）人： | 盧馬才;劉念 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物薄膜晶體管 感光器件 環境光 偵測 可見光 單個薄膜 電性連接 結構設置 顯示面板 多層級 響應 晶體管 元器件 漏極 應用 | ||
1.一種感光器件；其特征在于，包括第一氧化物薄膜晶體管和第二氧化物薄膜晶體管；
其中所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極電性連接所述第二氧化物薄膜晶體管的柵極。
2.根據權利要求1所述的感光器件；其特征在于，其中所述第一氧化物薄膜晶體管包括頂柵型IGZO TFT、頂柵型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一種。
3.根據權利要求1所述的感光器件；其特征在于，其中所述第二氧化物薄膜晶體管包括頂柵型IGZO TFT、頂柵型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一種。
4.根據權利要求1所述的感光器件；其特征在于，其還包括第三氧化物薄膜晶體管，其中所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極電性連接所述第三氧化物薄膜晶體管的柵極。
5.根據權利要求4所述的感光器件；其特征在于，其中所述第三氧化物薄膜晶體管包括頂柵型IGZO TFT、頂柵型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一種。
6.根據權利要求5所述的感光器件；其特征在于，其中所述第一氧化物薄膜晶體管、第二氧化物薄膜晶體管和第三氧化物薄膜晶體管為同類型氧化物薄膜晶體管。
7.一種TFT陣列基板，其包括基底層；其特征在于，其中所述基底層上設置有根據權利要求1所述的感光器件。
8.根據權利要求7所述的TFT陣列基板；其特征在于，其中所述基底層上還設置有檢測電路和信號讀取電路；
其中所述檢測電路的輸出端連接所述第一氧化物薄膜晶體管的柵極端并能向其輸入電壓，而所述信號讀取電路連接所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極端并能讀取其電流信號。
9.根據權利要求8所述的TFT陣列基板；其特征在于，其中所述第一氧化物薄膜晶體管柵極端輸入的預定電壓在-25V～-10V。
10.一種顯示面板；其特征在于，其包括根據權利要求7所述的TFT陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
