[發明專利]一種單層單晶方形石墨烯的制備方法在審
| 申請號： | 201910283735.2 | 申請日： | 2019-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN109957836A | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發明（設計）人： | 溫勇;黃蓉;黃志高;賴發春 | 申請（專利權）人： | 福建師范大學 |
| 主分類號： | C30B29/02 | 分類號： | C30B29/02;C30B25/16;C01B32/186 |
| 代理公司： | 福州君誠知識產權代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單層 超聲清洗 方形石墨 石墨烯 單晶 放入 銅箔 制備 生長 化學氣相沉積系統 壓強 丙酮溶液 單晶石墨 氮氣吹干 快速降溫 爐抽真空 退火處理 系統壓強 制備過程 氬氣氣氛 剪切 管式爐 石英管 稀鹽酸 對管 可控 剪刀 清洗 | ||
【權利要求書】：
1.一種單層單晶石墨烯的制備方法，其特征在于：
1）銅箔的預處理：用剪刀將銅箔剪切成合適大小，將其放入稀鹽酸中進行超聲清洗，然后轉移至丙酮溶液中超聲清洗，清洗結束后用氮氣吹干，待用；
2）襯底退火：將銅箔放入管式爐石英管內，通入Ar，在氬氣氣氛下升溫至1000～1060℃，并在該溫度下進行退火處理；
3）生長：銅箔退火后，對管式爐抽真空至10 Pa，通入CH4和H2，調節化學氣相沉積系統出氣口速率使系統壓強穩定在0.54 KPa，在該壓強下生長10 min，該過程保持管式爐的溫度為1000～1060 ℃；
4）降溫：打開管式爐，快速降溫，并通入300～350 sccm Ar和4 sccm H2，待降至室溫即生長出單層單晶方形石墨烯。
2.根據權利要求1所述的一種單層單晶石墨烯的制備方法，其特征在于：所述的通入Ar，通入流速為300 ～320sccm。
3.根據權利要求1所述的一種單層單晶石墨烯的制備方法，其特征在于：所述的退火處理，處理時間為2.5～4.0 h。
4.根據權利要求1所述的一種單層單晶石墨烯的制備方法，其特征在于：所述的通入CH4，其流速為0.5～0.6 sccm；通入H2，其流速為45～50 sccm。
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