[發明專利]一種單層單晶方形石墨烯的制備方法在審
| 申請號: | 201910283735.2 | 申請日: | 2019-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN109957836A | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 溫勇;黃蓉;黃志高;賴發春 | 申請(專利權)人: | 福建師范大學 |
| 主分類號: | C30B29/02 | 分類號: | C30B29/02;C30B25/16;C01B32/186 |
| 代理公司: | 福州君誠知識產權代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
| 地址: | 350108 福建省福州*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單層 超聲清洗 方形石墨 石墨烯 單晶 放入 銅箔 制備 生長 化學氣相沉積系統 壓強 丙酮溶液 單晶石墨 氮氣吹干 快速降溫 爐抽真空 退火處理 系統壓強 制備過程 氬氣氣氛 剪切 管式爐 石英管 稀鹽酸 對管 可控 剪刀 清洗 | ||
1.一種單層單晶石墨烯的制備方法,其特征在于:
1)銅箔的預處理:用剪刀將銅箔剪切成合適大小,將其放入稀鹽酸中進行超聲清洗,然后轉移至丙酮溶液中超聲清洗,清洗結束后用氮氣吹干,待用;
2)襯底退火:將銅箔放入管式爐石英管內,通入Ar,在氬氣氣氛下升溫至1000~1060℃,并在該溫度下進行退火處理;
3)生長:銅箔退火后,對管式爐抽真空至10 Pa,通入CH4和H2,調節化學氣相沉積系統出氣口速率使系統壓強穩定在0.54 KPa,在該壓強下生長10 min,該過程保持管式爐的溫度為1000~1060 ℃;
4)降溫:打開管式爐,快速降溫,并通入300~350 sccm Ar和4 sccm H2,待降至室溫即生長出單層單晶方形石墨烯。
2.根據權利要求1所述的一種單層單晶石墨烯的制備方法,其特征在于:所述的通入Ar,通入流速為300 ~320sccm。
3.根據權利要求1所述的一種單層單晶石墨烯的制備方法,其特征在于:所述的退火處理,處理時間為2.5~4.0 h。
4.根據權利要求1所述的一種單層單晶石墨烯的制備方法,其特征在于:所述的通入CH4,其流速為0.5~0.6 sccm;通入H2,其流速為45~50 sccm。
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