[發(fā)明專利]Micro LED器件及顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910282907.4
• 申請(qǐng)日: 2019-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN110047984A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳銘崗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種Micro LED器件，其特征在于，包括：

N型層，所述N型層設(shè)置在沉積有緩沖層的襯底表面，所述N型層表面覆蓋有有源層；

P型層，所述P型層表面設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述P型層覆蓋所述有源層；

所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層對(duì)應(yīng)的邊界之間設(shè)置有預(yù)設(shè)距離，以增大所述Micro LED器件中的電流密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro LED器件，其特征在于，所述預(yù)設(shè)距離大于2-5μm，以增大所述Micro LED器件中的電流密度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Micro LED器件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層的邊界之間的所述預(yù)設(shè)距離相同，所述透明導(dǎo)電層的中心點(diǎn)與所述P型層的中心點(diǎn)相互重合。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Micro LED器件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層的邊界之間的所述預(yù)設(shè)距離不盡相同，所述透明導(dǎo)電層的中心點(diǎn)偏離所述P型層的中心點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的Micro LED器件，其特征在于，所述P型層分為五個(gè)區(qū)域，所述五個(gè)區(qū)域互相不重合，所述P型層的中心點(diǎn)至所述P型層的每個(gè)頂點(diǎn)之間按照距離等分有四個(gè)等分點(diǎn)，包括多個(gè)第一等分點(diǎn)，多個(gè)第二等分點(diǎn)，多個(gè)第三等分點(diǎn)以及多個(gè)第四等分點(diǎn)；

其中，所述第一等分點(diǎn)鄰近所述P型層的中心點(diǎn)，所述第四等分點(diǎn)鄰近所述P型層對(duì)應(yīng)的頂點(diǎn)；

所述第一等分點(diǎn)連接形成第一區(qū)域，所述第二等分點(diǎn)連接形成第二區(qū)域，所述第三等分點(diǎn)連接形成第三區(qū)域；

所述透明導(dǎo)電層至少覆蓋所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件還包括有金屬電極；

其中，所述透明導(dǎo)電層連接有第一金屬電極，所述第一金屬電極還連接有驅(qū)動(dòng)電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件采用水平結(jié)構(gòu)，所述N型層的面積大于所述P型層的面積，所述N型層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電層的一側(cè)連接有第二金屬電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件采用垂直結(jié)構(gòu)，所述N型層連接有第二金屬電極，所述第二金屬電極與所述第一金屬電極相對(duì)設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件中的電流從所述第一金屬電極流向所述第二金屬電極，且集中在所述Micro LED器件的與所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域、所述第三區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以增大電流密度。

10.一種顯示面板，包括有陣列基板以及分布在所述陣列基板上的Micro LED器件，其特征在于，所述Micro LED器件為權(quán)利要求1-9任一所述的Micro LED器件。