[發(fā)明專利]Micro LED器件及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910282907.4
• 申請日: 2019-04-10
• 公開（公告）號: CN110047984A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳銘崗
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供一種Micro LED器件及顯示面板。該Micro LED器件包括：N型層，所述N型層設(shè)置在沉積有緩沖層的襯底表面，所述N型層表面覆蓋有有源層；P型層，所述P型層表面設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述P型層覆蓋所述有源層；所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層對應(yīng)的邊界之間設(shè)置有預(yù)設(shè)距離，以增大所述Micro LED器件中的電流密度。本發(fā)明的Micro LED器件及顯示面板將電流集中在器件的中心區(qū)域，增大了電流密度，并能夠減少M(fèi)icro LED器件在邊緣區(qū)域的漏電流、非輻射復(fù)合現(xiàn)象，從而提高了Micro LED器件及顯示面板的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種Micro LED器件及顯示面板。

背景技術(shù)

微發(fā)光二極體顯示器(Micro LED Display)為新一代的顯示技術(shù)，Micro LED繼承了LED的特性，具有尺寸小、重量輕、亮度高、壽命長、功耗低、響應(yīng)時間快及可控性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，且Micro LED的色域能大于120％，PPI(像素密度)能達(dá)到1500。

通常Micro LED器件的尺寸會小于50μm，此時在側(cè)邊易產(chǎn)生漏電流，側(cè)邊懸空鍵會導(dǎo)致非輻射復(fù)合，電流擁堵效應(yīng)和熱效應(yīng)變?nèi)酰瑫?yán)重影響Micro LED器件的發(fā)光效率。

因此，需要提供一種新的Micro LED器件，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種Micro LED器件，通過對透明導(dǎo)電層的設(shè)計(jì)，避免電流經(jīng)過接近側(cè)壁的區(qū)域，以解決現(xiàn)有的Micro LED器件因尺寸小而在側(cè)邊發(fā)生漏電流、非輻射復(fù)合等問題，進(jìn)而影響顯示的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種Micro LED器件，包括：

N型層，所述N型層設(shè)置在沉積有緩沖層的襯底表面，所述N型層表面覆蓋有有源層；

P型層，所述P型層表面設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述P型層覆蓋所述有源層；

所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層對應(yīng)的邊界之間設(shè)置有預(yù)設(shè)距離，以增大所述Micro LED器件中的電流密度。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)距離大于2-5μm，以增大所述Micro LED器件中的電流密度。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層的邊界之間的預(yù)設(shè)距離相同，所述透明導(dǎo)電層的中心點(diǎn)與所述P型層的中心點(diǎn)相互重合。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述透明導(dǎo)電層的每條邊與所述P型層的邊界之間的預(yù)設(shè)距離不盡相同，所述透明導(dǎo)電層的中心點(diǎn)偏離所述P型層的中心點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述P型層分為五個區(qū)域，所述五個區(qū)域互相不重合，所述P型層的中心點(diǎn)至所述P型層的每個頂點(diǎn)之間按照距離等分有四個等分點(diǎn)，包括多個第一等分點(diǎn)，多個第二等分點(diǎn)，多個第三等分點(diǎn)以及多個第四等分點(diǎn)；

其中，所述第一等分點(diǎn)鄰近所述P型層的中心點(diǎn)，所述第四等分點(diǎn)鄰近所述P型層對應(yīng)的頂點(diǎn)；

所述第一等分點(diǎn)連接形成第一區(qū)域，所述第二等分點(diǎn)連接形成第二區(qū)域，所述第三等分點(diǎn)連接形成第三區(qū)域；

所述透明導(dǎo)電層至少覆蓋所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述Micro LED器件還包括有金屬電極；

其中，所述透明導(dǎo)電層連接有第一金屬電極，所述第一金屬電極還連接有驅(qū)動電路。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述Micro LED器件采用水平結(jié)構(gòu)，所述N型層的面積大于所述P型層的面積，所述N型層遠(yuǎn)離所述透明導(dǎo)電層的一側(cè)連接有第二金屬電極。